问：低噪声放大器LNA的论文中的CMOS管的参数，为什么只提及工艺尺寸，比如0.18微米？什么意思啊？怎么仿真？
- 答：在电路设计中，会有一些元件对外公开时不留型号和参数，也可能标注少量的技术参数或封装，这是对自己设计的一个简单保密，防止直接抄袭。所以你要仿真这个电路，就要了解内部每个元件的工作原理
- 答：搜一下：低噪声放大器LNA的论文中的CMOS管的参数，为什么只提及工艺尺寸，比如0.18微米？什么意思啊？怎么仿真？
问：基于Multisim光电低噪声前置放大器的仿真
- 答：光电二极管在受到光照时，会产生一个与照度成正比的小电流，因此是很好的光电传感器，可广泛应用于精密光度计、高速光纤接收器等领域。光电二极管可分为两类：具高电容(30pF至3000pF)的大面积光电二极管和具相对较低电容(10pF或更小)的较小面积光电二极管。为了获得最佳的信噪比性能，最常见的做法是采用一个跨阻抗放大器(由一个反相运算放大器和一个反馈电阻器组成)来把光电二极管电流转换成电压。在低噪声放大器设计中，大面积光电二极管放大器需要更加关注的是降低运算放大器输入电压噪声，而小面积光电二极管放大器则需要把更多注意力放在降低运算放大器输入电流噪声和寄生电容上。半导体材料对光的吸收遵从如下指数规律：P(x)= [2- ] (1)公式中，α（λ）是当光的波长 的吸收系数；P0是入射于光探测器上的光功率；而P（x）是在距离x中吸收的光功率。如果耗尽区的宽度为w, 并考虑到光电二极管的入射面的反射率为Rf, 那么, 由于光功率的吸收而产生的平均光电流五由下式给出： = [1- ](1- ) (2)其中,q是电子电荷量,hv是光子能量。光照下，PIN光电二极管PN结的伏安特性为 = （ -1）- (3)式中，IO为PN结的反向饱和电流，V为包括外电压和光电压的实际结电压；k为波尔兹曼常数，T为探测器的工作温度。由式（2）式（3）可以看出光电二极管的反向输出电流与照强度成正比。 图发不了。我M你QQ
问：怎么降低低噪声放大器？影响低噪声放大器的几个因素（包括内部和外部）？
- 答：运放的噪声是很讨厌，但又非常难解决的问题。你能够做到这一步，相信模拟电路的水平已经到一定程度了。运放电路的噪声与很多因素有关系，首先是电路结构，从噪声情况来说，同相比例放大器比反相比例运放电路，噪声要好很多。以同相比例放大器为例，其主要热噪声的来源有以下5个：
1、信号源内阻Rs上的噪声，（4kTRs）^（1/2），k，玻尔兹曼常量，1.38*10^(-23) J/K，T绝对温度（K），
2、比例电阻，R1,Rf上的噪声，（4kT(R1//Rf)）^(1/2)
3、输入换算噪声电压：en和输入换算噪声电流：in
4、输入换算噪声电流与信号源内阻产生的噪声=in*Rs
5、输入换算噪声电流与反馈电阻产生的噪声=in*(R1//Rf)
第一个你很难左右，不过你要是用输出电压大，内阻小的传感器，就能够实现比较高的信噪比。
第二个主要由反相端的接地电阻R1决定，在可能的情况下，可以考虑减少这个值；
第三个可以在运放的技术文档datasheet中找到。
推荐你去看看日本 远坂俊昭 测量电子电路设计——模拟篇，科学出版社，2006年出版。 - 答：噪声系数=输入信噪比/输出信噪比（比值表示）
通过放大器的信号，信噪比肯定会下降。
看下你LNA的噪声系数是不是5dB左右。
