问：半导体光刻技术，什么是半导体光刻技术
- 答：光刻技术主要应用在微电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光段尺刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后耐姿进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，***出半导体；之后对***出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉昌燃绝就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。
问：光刻技术的原理是什么？
- 答：概述
RDJ-I正型光刻胶是液晶显示器用正性光刻胶，亏枝迹可同时适用于TN/STN/FTN LCD、VFD制作，具有高感度，高粘附性，高分辨率，良好的涂布性能等优点。RDJ-I正型光刻胶采用环保溶剂。RDJ-I正型光刻胶一般规格有30mpa.s，40mpa.s，50 mpa.s，使用时可根据需要稀释成不同固含量和粘度。
技术指标如下表：
颜色砖红色
粘度(25℃,VT-04E/F)20-50 mpa.s
基板ITO玻璃(30Ω)
涂膜厚度1.3—1.8um
前烤100x90sec(热板搭闹)
曝光60-100mj/cm2
显影0.8% KOHx60sec
后烤热板120℃×120sec
蚀刻HNO3:HCl:H2O=4：23：73@40℃
剥离4%NaOH@50℃×120sec
贮存期限（25℃以下暗处贮存）6个月
操作工艺参数：
1．涂布：23℃，辊涂，膜厚1.1-1.8μm；
2．前烤：100℃x90sec(热板)，烤道100℃3—5分钟；
3．曝光：90mj/cm2；
4．显影：23℃，0.4% NaOH，1min，喷淋或浸渍；
5．后烤：热板120℃×120sec，烤120℃,3-5分钟；
6．蚀刻：45℃，FeCl3/HCl或HNO3/ HCl；
7．剥离：23℃ 销并 4-6% NaOH - 答：光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制宏搭版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。
光刻是制作半导体器件派高和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司尘绝尺成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。 - 答：光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶改稿，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐好桥蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得核袜孝到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。实际情况远比叙述的复杂，为了能够理解简单说说是这样。
- 答：光刻是通过一系列生产运困步骤将晶圆表面举悄指薄膜的特定部分除去的工艺在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的正配岛状部分。
- 答：光刻技术的原理
集成昌森电路制造中利用光学- 原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技乱雀术发展到应用电子束、 、微离子束、激光等新技术；使用波长耐陪亩已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。
光刻技术是在一片平整的硅片上构建半导体和电路的基础，这其中包含有很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液体清洗硅片，变质的光刻胶被除去，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。 - 答：集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化扮逗学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从厅祥卖毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的宴汪微细加工技术。
两种工艺：
①光复印工艺
②刻蚀工艺 - 答：芯圆枯片纳正返米光刻机究竟是什么，原理是怎样的呢？今天算长见橘清洞识了
问：清华新成果有望解决光刻机自研难题，这是怎么回事？
- 答：在芯片制造的产业链中，光刻机是必不可少的精密设备，是集成电路芯片制造中最复运漏杂和关键的工艺步骤，我国EUV光刻机的自主研发还有很长的路要走，基于SSMB的EUV光源有望解决自主研发光刻机中最链乱核心的，卡脖子，难题，唐传祥说SSMB原理验证实验示意图，图源，自然SSMB原理验证实验结果，图源，自然，光刻机是芯片制造旁唤烂中必不可少的精密设备SSMB概念由斯坦福大学教授，清华杰出访问教授赵午与其博士生DanielRatner于2010年提出，赵午持续推动SSMB的研究与国际合作，2017年，唐传祥与赵午发起该项实验，唐传祥研究组主导完成了实验的理论分析和物理设计，并开发测试实验的激光系统，与合作单位进行实验
- 答：《自然》相关评论文章写道：“该实验展示了如何结合现有两类主要加速器光源——同步帆念辐射光源及自由电子激光——的特性。SSMB光源未来有望应厅消用于EUV光刻和角分辨光电子能谱学等领域。”该论文一经刊发，立即引起国内态伏困外学术界及产业界的高度关注。
- 答：大功率EUV光源的突破对渗燃激于EUV光刻机进一步的应用丛袜和发展至关重要。段瞎清华新成果基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。
