一、钝化多孔硅的光致发光（论文文献综述）
苗笑梅[1]（2020）在《多孔硅纳米材料的3D表面处理、光学性能及其应用研究》文中研究说明多孔硅是一种比表面积大,微观结构可调,吸附性强,具有良好生物相容性及光学性能的纳米结构材料,可广泛应用于显示器、光学传感器和生物成像等领域。然而,新刻蚀的多孔硅表面存在大量具有强反应活性的硅氢基团,易与空气中的水和氧气发生反应,从而影响多孔硅的光学性能及稳定性,削弱其在应用中的适用性。本文通过光催化法在n型多孔硅表面生成Si-C键,以及氧化法在高掺杂p型多孔硅表面生成Si-O-Si键的方式,提升了不同掺杂类型多孔硅表面的稳定性并研究了修饰反应过程中的影响因素,此外,本文还制备了一种负载T8型巯基聚倍半硅氧烷（SH-POSS）的多孔硅片并研究了其对铜离子(Cu2+)的光学传感性能。主要研究工作如下:1、以甲基丙烯酸十二氟庚酯为功能性基团,通过光催化反应,将其修饰在新制备的n型多孔硅表面,制备了一种具有高稳定性、超疏水表面的氟修饰多孔硅。通过扫描电子显微镜（SEM）、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）、元素分析（SEM-EDS）、X射线光子能谱分析（XPS）等手段分析了多孔硅改性前后的结构和组成,通过研究多孔硅表面水接触角（WCA）和荧光光谱（PL）考察了 UV光照、反应物质量分数及反应时间对多孔硅表面性质的影响,最后考察了氟接枝多孔硅表面在碱性和空气环境中的稳定性。研究结果显示,甲基丙烯酸十二氟庚酯通过光催化反应成功接枝至n型多孔硅表面;在UV光照条件下,将多孔硅放置在含有质量分数为10%的甲基丙烯酸十二氟庚酯二氯溶液中反应40 min后,其表面水接触角可以达到153°并具有良好的光致发光效应;修饰后的多孔硅表面在碱性和空气环境中均表现出较高的稳定性,在碱性液滴存在30 min后表面结构不被溶解,水接触角可以维持150°以上,且依旧保持较好的光致发光强度,在室温空气环境下,一周内氟修饰多孔硅表面依旧表现出良好的疏水性能及光致发光强度。2、以不同浓度的弱碱性缓冲液（硼酸盐缓冲溶液和三（羟甲基）氨基甲烷缓冲溶液）为氧化剂,通过在溶液中氧化的方式对高掺杂p型多孔硅微米颗粒进行氧化,并用柠檬酸溶液作为终止剂对多孔硅氧化反应进行控制。通过SEM、FT-IR分析了多孔硅改性前后的结构和组成,通过PL、热重分析（TGA）等手段研究了 UV光照、不同氧化剂种类及氧化剂浓度对其氧化过程的影响,考察了添加柠檬酸溶液对多孔硅氧化过程的控制及对其光致发光性能的影响,探究了多孔硅的氧化机理。研究结果显示,在存在紫外光光照、氧化剂浓度增大及氧化溶液p H增大的条件下可以有效提升多孔硅的氧化速率;柠檬酸溶液的添加可以有效的控制多孔硅氧化程度,提高其稳定性,大大提升其光致发光强度;氧化过程中,多孔硅中硅微晶逐渐被氧化生成氧化物,硅微晶尺寸的减小及表面钝化层的增加使得其光致发光强度随氧化时间的增长出现先上升后下降的趋势,其PL峰位出现蓝移。3、制备SH-POSS,将其负载在表面修饰后的p型多孔硅片基底上,制备了一种负载SH-POSS的多孔硅片,并将其应用于Cu2+的检测。通过核磁共振1H-NMR、29Si-NMR、FT-IR、SEM、拉曼光谱（Raman）分析了 SH-POSS 和多孔硅片负载前后的组成和结构,通过Fabry-Perot干涉条纹考察了负载SH-POSS的多孔硅片对Cu2+的响应。实验结果显示,通过水解缩合法成功制备了 SH-POSS;SH-POSS可成功负载进入新刻蚀的多孔硅及氨基修饰的多孔硅的孔道结构中;所制备的负载SH-POSS氨基修饰的多孔硅片可对浓度为200ppm的Cu2+进行快速响应。
卢乐[2]（2019）在《P型多孔硅制备、成核机理及其光电性能调控研究》文中进行了进一步梳理多孔硅作为单晶硅衍生出的一种新型材料,不仅具有良好的半导体特性,而且具有低成本、高均匀性、高深宽比、大比表面积等诸多优异特性,在微机电系统、储能、生物传感等领域得到广泛应用。目前,N型多孔硅的制备技术已经基本成熟,而P型多孔硅成孔机理研究还处于探索阶段,极大限制了多孔硅的进一步应用。本文对P型多孔硅的生长过程、成核演变、多种结构进行了理论和实验的系统研究,揭示了不同腐蚀条件对多孔硅成核过程、成孔结构及光学性能的影响,并对多孔硅光学性能及电学性能进行调控研究。主要研究内容和创新点如下:首先,实验研究了P型多孔硅的成核过程,完善了P型多孔硅的生长模型,揭示了在P型多孔硅成核过程中,电流密度、HF浓度、电解质成分等不同腐蚀条件对其成核速度、成核层深度等方面的影响。结果表明:增大电流密度和HF酸浓度可以有效地提高多孔硅的成核速度,为多孔硅的快速制备提供了理论基础。其次,系统研究了P型多孔硅生长过程中的微纳结构及其光学性能调控。结果表明:利用强氧化剂和有机溶剂可以有效拓宽低阻值硅衬底上制备多孔硅的电流窗口。同时,通过对电解质的改性可以实现对多孔硅微结构的调控制备,不仅增强了多孔硅的光致发光性能而且提高了其对紫外光的响应特性,为多孔硅基光学器件研制奠定了基础。最后,制备多孔硅/氧化锌复合材料,对多孔硅电学性能进行优化研究。研究结果发现:纳米氧化锌可以使多孔硅表面钝化,极大地提高多孔硅的电容特性,在经过500次的循环伏安测试后依然具有较好的稳定性,为新型多孔硅基超级电容器研制提供了理论基础。本文通过对P型多孔硅的成核机理、生长模型、微结构调控以及多孔硅表面钝化等方面的系统研究,为多孔硅的快速制备及其在光电子器件及超级电容器中的应用提供了理论基础。
陈景东,张婷,汪庆祥[3]（2014）在《水热腐蚀时间对铁钝化多孔硅表面形貌和光致发光的影响》文中研究说明采用水热腐蚀法制备了4个腐蚀时间不同的铁钝化多孔硅样品,铁钝化多孔硅样品表面呈海绵结构,随着腐蚀时间增加,样品表面的平整度下降,腐蚀孔尺寸差别有增大的趋势。在250nm光激发下,样品发光峰位于620nm附近,半峰全宽约130nm。腐蚀时间从10min增加到40min,4个样品的发光峰并未出现定向的红移或蓝移。结合样品傅里叶变换红外吸收光谱的结果,铁钝化多孔硅的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用,相应的辐射复合发光中心为非桥氧空穴。
陈景东,张婷[4]（2014）在《铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究》文中研究表明采用水热腐蚀法在相同环境下制备了不同晶型的铁钝化多孔硅样品。同一样品表面具有相似的孔隙结构,不同样品形貌存在差异。在300 nm光激发下,样品发光峰位于618 nm附近,半高宽约为132 nm。傅立叶红外变换光谱显示样品中有强的Si—Si、Si—O—Si、O y—Si—H x化学键振动吸收。结果表明,水热腐蚀法制备的铁钝化多孔硅表面形貌与腐蚀过程的局域电极分布关系密切。样品的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用,并受非桥氧空穴发光中心数量影响。
李陈发[5]（2011）在《多孔硅的电化学制备与光致发光》文中认为多孔硅的研究主要集中在提高其光致发光强度和稳定性上,本论文通过电化学腐蚀制备多孔硅,研究了制备条件对多孔硅光致发光的影响,同时运用酸处理和阴极还原处理探讨了后处理对多孔硅稳定性的影响。实验表明,对于固定浓度的腐蚀液,在腐蚀时间相同的情况下,随着腐蚀电流密度的增大,多孔硅的光致发光强度先增加后衰减,说明制备多孔硅存在最佳腐蚀电流密度。当腐蚀溶液为V（HF）:V（C2H5OH）=1:1,腐蚀时间为15min,比较理想的腐蚀电流密度是50mA/cm2。对于相同的腐蚀时间和腐蚀电流密度,随着腐蚀液浓度的增大,多孔硅的光致发光强度先增加后衰减,说明制备多孔硅存在最佳腐蚀液浓度。实验中,对应腐蚀电流密度50mA/cm2,腐蚀时间1 Omin,相对理想的腐蚀液配比是V（HF）:V（C2H5OH）=1:3。对于相同的腐蚀液浓度和腐蚀电流密度,随着腐蚀时间的增加,多孔硅的光致发光强度先增加后衰减,说明制备多孔硅存在最佳腐蚀时间。对于腐蚀溶液为V（HF）:V（C2H5OH）=1:1,电流密度为10mA/cm2,比较理想的腐蚀时间是15min。实验中发现,随着实验条件不同,多孔硅的发光峰位有“红移”也有“蓝移”现象,峰位发生移动可能是由多孔硅的表面态引起。多孔硅放置过程中,其发光性能会衰减,但对样品进行后处理能改善其发光稳定性。实验所得的数据和规律,可以用量子限制模型和发光中心模型解释,但多孔硅的光致发光跟表面态也有密切关系。多孔硅的制备存在最佳条件,不同条件下制得的样品其发光强度和峰值不同。为了获得性能更好的多孔硅,可以通过改善制备条件,以及对样品做后处理实现。
喻振兴[6]（2010）在《n型多孔硅制备、发光性能及Al表面钝化处理》文中提出多孔硅因具有独特的发光性能而成为材料界的研究热点。随着对多孔硅材料研究的不断深入,多孔硅制备和性能研究都有了很大进展,但仍然有许多重要问题没有解决,如发光器件发光强度低、发光寿命短、发光稳定性差等。本文采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备了n型多孔硅（n-PS）,通过室温500～700nm范围内荧光光谱和扫描电镜（SEM）测试系统,研究了光照、腐蚀时间、电解液浓度、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂浓度等对n-PS的形成、结构形貌和光致发光（PL）性能的影响。结果表明,通过光照,能获得具有均匀孔分布和良好发光特性的n-PS,在约600nm处产生较强PL峰；随腐蚀时间、HF浓度和电流密度增加,PL峰位先发生蓝移,而后又出现红移；PL发光性能呈先增强后减弱变化趋势,分别在腐蚀时间为20min、HF浓度为6%和电流密度为60mA／cm2时峰强出现极大值；而提高掺杂浓度,PL性能降低。进一步采用脉冲电化学腐蚀制备了n-PS,系统探讨了等效腐蚀时间、脉冲频率、占空比等脉冲电化学腐蚀条件对n-PS室温可见区PL性能的影响。结果表明,该法制备的n-PS比同条件下恒流腐蚀法获得的n-PS的PL强度更高,发光峰位蓝移,且等效腐蚀时间、脉冲频率和占空比均显着影响其PL峰位及发光强度；并用SEM观察其表面形貌,显示形貌更均匀,说明脉冲腐蚀是一种制备n-PS更优良的电化学方法。为了改善多孔硅的发光性能和稳定性,采用电化学沉积Al3+的方法处理用脉冲腐蚀制备的n-PS,以钝化其表面。通过对沉积Al3+前后n-PS的PL光谱、FT-IR光谱（傅里叶变换红外吸收光谱）和SEM图的研究,探讨了Al3+在多孔硅表面的钝化作用及其对PL性能的影响。结果表明,适量沉积Al3+可有效地改善n-PS的光致发光强度和稳定性。其作用机理是Al3+覆盖于多孔硅表面与硅形成稳定的Si-Al键,能够有效地抑制硅悬键的形成,减少非发光中心,从而减缓发光强度的衰减,稳定其发光性能；但过量的Al3+沉积会造成Al3+大量覆盖在n-PS表面导致发光效率降低。
马婷婷[7]（2009）在《表面沉积铜薄膜多孔硅的制备及其发光特性研究》文中提出21世纪是高度信息化的时代,微电子信息处理的速度得到迅速的发展但逐步趋向极限。要使信息处理的速度有所突破,光电集成是必由之路。众所周知,在微电子领域,硅材料发挥着广泛而重要的作用,是集成电路的基础材料。但是,室温下硅的禁带宽度为1.12eV,是间接带隙半导体,电子不能直接由导带底跃迁到价带顶发出光子,且相应的发光波长为1.141μm,在近红外区,所以硅材料在光电子学领域中的应用受到一定的限制。但是由于硅的资源广,价格低廉,纯度高,加上硅平面工艺精细,因此,人们仍然没有放弃实现硅基光电子集成的努力,为了使硅能够发光,人们尝试了多种方法。目前为止这些研究包括了硅基超晶格发光材料、硅基异质外延发光材料、硅碳合金和多孔硅等。本文采用双槽电化学方法制备多孔硅,并采用原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）等方法对多孔硅表面形貌进行表征,深入分析腐蚀时间对多孔硅表面形貌、孔隙率、孔层厚度及光致发光性能等的影响,进而为多孔硅的形成机理研究打下基础。实验发现多孔硅的孔隙率随着腐蚀时间的延长,即由10min、20min、30min、40min时的孔隙率48%、50%、60%、67%,变至50mmin和60mmin时的55.6%和54%,其中腐蚀时间为40min时,达到了最大为67%；同样,形成的多孔硅孔层厚度与腐蚀时间的关系由其实验数据（1.25μm,1.3μm,1.5μm,1.6μm,1.58μm,1.4μm）可知,随着腐蚀时间的延长,孔层厚度先增大后减小,同样在腐蚀时间为40mmin时,其孔层厚度达到最大1.6μm。论文还在第三章对多孔硅进行光致发光性能检测,实验发现其光致发光谱（PL谱）随着腐蚀时间的延长先增强后减弱,由10mmin时26.18增至40min时的72.09,最后降至60min时的16.3。同时,孔隙率和光致发光谱随腐蚀时间的变化趋势证实了提高孔隙率是提高多孔硅发光强度的必要条件。为了提高多孔硅的发光强度和稳定性,避免单一多孔硅的自然氧化,研究人员对不同种类的金属沉积多孔硅进行研究,研究表明金属沉积多孔硅材料对其结构和性能的改善具有重要意义。在金属沉积多孔硅中,由于铜是最常见的金属之一,且在含有氟离子的水溶液中更易沉积,所以,在微电子领域中,被广泛研究并有望取代铝,成为金属中最佳的选择。本文利用固液界面反应在多孔硅表面沉积铜,通过对沉积铜前后多孔硅形貌的比较,发现沉积铜后的多孔硅主要有两种情形存在,表面为管状和表面为非管状的薄膜。通过对沉积铜膜前后多孔硅的光致发光谱的测量发现,表面被覆的铜膜为管状的多孔硅（腐蚀40min,沉积1min）的光致发光强度达到821.2,比沉积前提高了40%,并且放置四个月其光致发光谱基本未变化,而表面被覆的铜膜为薄膜而为非管状的多孔硅（腐蚀60min,沉积1min）的光致发光谱达到224.7,比沉积前提高了20%。本文用X射线光电子能谱（XPS）和红外傅里叶光谱（FTIR）对相关样品进行了测试分析得出结论：在多孔硅表面形成的纳米薄层铜膜,作为多孔硅表面SiO2中的杂质和缺陷以及铜膜的表面共振激发有利于光致发光的增强,且铜膜的形成抑制了形成的硅纳米线（柱）表面的自然氧化,并对Si-H键有稳定作用,从而提高了发射光谱的稳定性。
薛亮[8]（2009）在《多孔硅复合结构传感性能的研究》文中研究表明多孔硅（porous silicon,PS）是近年来发展起来的一种新型硅基材料,具有与单晶硅材料大不相同的特性。多孔硅可在近红外和可见,甚至在近紫外光区辐射强烈的荧光,使得它可用来制造发光器件,并可望能用来解决光电子集成电路的关键问题,为制造带有光源的大规模集成电路—光电集成方面开辟新的途径。本体硅为间接禁带半导体,且禁带宽度比较窄（1.12 eV）,在室温下很难发可见光。多孔硅改变了本体硅的能带结构,使禁带宽度变宽,并由间接能带隙向直接能带隙转变,并能实现室温发光。本论文在综述部分比较了几种常规制备多孔硅的方法,概括了多孔硅的光致发光（photoluminescence,PL）和电致发光（electroluminescence,EL）特性,对目前比较流行的发光模型给出了定性的论述,详细介绍了几种常见的多孔硅传感器的制备方法与敏感特性,并着重对气敏、湿敏、生物分子多孔硅传感器机理作了详细介绍,论述了多孔硅传感器的新动向,展望了多孔硅的应用前景。实验研究包括以下几个内容:1.对多孔硅进行了硝酸氧化处理。将制成的多孔硅用HNO3（浓度为67%-69%）:H2O=1:5（体积比）浸泡,其发光强度明显增强,增强程度与浸泡时间呈正相关关系。如果多孔硅样品直接用浓度为67%-69%的HNO3氧化处理,会发现其橙红色光致荧光消失,测定了多孔硅样品经硝酸氧化前后的荧光光谱（PL）和傅立叶红外光谱（FTIR）,认为随着硝酸的氧化,有效地的钝化了多孔硅表面的非辐射复合中心,荧光强度显着增加。荧光强度随Si-O和Si-O-Si键的增加迅速增强,可能是由于氧与有悬挂链的表面硅原子结合,形成了部分Si/SiO2界面,使硅的表面态发生了变化,对荧光发射有增强作用。2.研究了多孔硅进行硝酸银沉积处理。新制备的多孔硅浸泡在硝酸银溶液中表面会析出银颗粒,并对多孔硅的发光产生影响。如果浸泡时间较短,多孔硅的光致发光产生了增强作用,而浸泡时间较长则导致荧光的猝灭。依据FTIR和X光电子能谱（XPS）的测试,我们认为荧光增强是多孔硅被氧化形成Si-O结构所致,Si-O结构起到了新的有效发光中心的作用,XPS谱显示,银已经和硅的悬挂键成键,Ag-Si、Ag-Ag和Ag-O的存在应该是造成发光强度减弱的主要原因,使之产生新的非辐射复合中心。3.多孔硅测量尿素的研究。研究了新制备的并经稳定化处理的多孔硅对尿素溶液中尿素分子的吸附性。多孔硅顶层上蒸镀厚度约2μm,直径约为0.2 cm的铝层,形成纵向Al/PS/Si/Al结构和横向Al-PS-Al结构。将这两种不同结构的多孔硅经过不同浓度的尿素溶液浸泡吸附20min后用去离子水浸泡5min,洗去其表面未被吸附的尿素,自然晾干得到吸附尿素后的Al/PS-urea/Si/Al纵向结构和Al-PS-urea-Al横向结构。分别依次测量这两种结构对应的lgI～V关系,同一浓度下,电压越大,对应的电流越大,而在同一电压条件下,随着尿素浓度的增大,电流值逐渐减小。结果表明,基于多孔硅的纳米结构可用来测量尿素浓度。4.研究了多孔硅作为工作电极对抗坏血酸的检测。电化学阳极腐蚀硅片形成多孔硅后,将电流源的正负极对换后再通以电流,利用F-和H+在电场中所受的库仑力,把滞留在多孔硅内部的F-拉向此时的阳极（原来的阴极）同时又把H+拉向此时的阴极（原来的阳极）,减弱了切断电源后F-对硅片的继续腐蚀作用,同时促使多孔硅表面的活性Si与H+化合生成稳定的Si-H键,降低表面悬挂键的密度,促使多孔硅表面硅原子的稳定,以达到钝化多孔硅表面的目的。将得到的多孔硅作为三电极体系的工作电极,Pt作辅助电极,饱和甘汞电极作参比电极,随着抗坏血酸浓度的增大其pH值减小,但并不成线性关系。抗坏血酸溶液电流随电压的增大而增大,并且其电流值与pH值呈良好的线性关系初步显示出通过多孔硅电化学体系测量抗坏血酸的浓度特性,为进一步开发多孔硅生物传感器奠定了实验基础。
卓敬清[9]（2008）在《多孔硅光电性能研究》文中进行了进一步梳理由于硅是具有窄的、间接能隙的半导体材料,因此不能有效地发出可见光。直到1990年,室温下发光的多孔硅（PS）的发现为发展硅基光电器件提供了广阔的前景,1996年以PS为基础材料的光电集成电路的实现使得这种前景更加诱人。但要将多孔硅投入实用,还存在不少问题,其一是多孔硅发光的机制尚不明了;其二是PS发光的效率极低和不稳定性。对此,本文作了以下工作。采用改进过的Maxwell-Gamett模型研究了入射光波长和多孔硅的孔隙率对反射光谱和介电光谱的影响,结果表明:（1）随着入射光波长的增大,多孔硅的反射率先增大后减小,而随着孔隙率的增大反射光谱出现了明显的下塌趋势,且孔隙率越大下塌得越明显;（2）随着孔隙率的增加,多孔硅复介电光谱出现明显的蓝移现象,且多孔硅有效介电常数的实部和虚部均变小。此外还对这种现象给出了较为合理的解释。基于Vlkulov等人对金属/多孔硅/硅结构输运特性的研究,分析了载流子在金属/多孔硅/硅结构中的传输过程,研究了各层中电场强度以及电压的分布,讨论了镜象势在正反向偏压下对金属/多孔硅/硅结构Ⅰ-Ⅴ特性的影响。结果表明:金属/多孔硅/硅结构中电流主要受表面态电荷和界面层影响,改变多孔硅层厚度将导致各层中电压的重新分布,不管是正向偏压还是反向偏压,电流随厚度的增加而减小;镜象势在正向偏压时对电流的影响可以忽略,但随反向偏压增大镜象势对电流的影响越来越大。提出了一种新颖的多孔硅表面钝化技术,即采用高真空磁控溅射镀膜的方法在新制备的多孔硅上沉积金属钨膜。采用原子力显微镜（AFM）、荧光分光光度计对多孔硅钨膜的表面形貌及发光特性进行了分析。结果表明:采用高真空磁控溅射镀膜法可在多孔硅基片上形成均匀、性能稳定的钨膜。用钨膜钝化的多孔硅,对稳定多孔硅的发光强度与发光峰位作用明显,并增强了多孔硅的机械强度。因此采用钨膜钝化多孔硅能够使多孔硅的不稳定性得到改善。
赵美红[10]（2007）在《硅纳米材料的制备及其光学特性研究》文中研究表明自从1990年L．T．Canham发现了多孔硅在室温下的光致发光现象后，由于硅材料在光电子、微电子和生物医学领域的应用前景，使得硅材料的研究引起了科学界的极大兴趣。十多年来，经过科学家对硅基材料的合成以及特性的研究，他们建立了多种模型来分析硅材料的光致发光原因，尽管这样，但对于硅纳米结构的发光机理还不是很清楚。主要原因之一是多孔硅的内表面非常大很容易被电解液或空气中的不纯物质污染，这些不纯物质对多孔硅的光学和电学特性都有影响，也影响了发光机理的分析。针对新制备的多孔硅发光性能不强、不稳定易污染等问题，本论文探寻制备新的硅发光材料，并对其发光起因进行了探索性研究。首先，对新制备的多孔硅采用自然氧化、镀膜、增加磁场等方法，研究了它们对多孔硅样品的发光性能稳定及光致发光强度的影响。其次，为了寻找新的发光性能稳定、无污染的硅材料，本文用激光烧蚀处于去离子水中的硅片，发现经激光修饰过的硅片有规则的蜂窝状坑并有很强的光致发光特性，尤其是经248nm的激光修饰过的硅片。激光辐射下，由于电子的跃迁，硅片常常产生很多激子，当这些激子遇到光场的微扰时，它们将与电子复合，同时伴随发光现象。经激光修饰过的硅片表面有一层氧化膜，当浸入HF后发光强度明显降低，分析原因可得，被激光修饰过的硅片的发光与表面的氧成分有关。再次，利用不同功率、不同波长的脉冲激光轰击浸没在液体（水和其它溶剂）中的硅片制备硅纳米颗粒。激光与硅片的相互作用使其表面发生热熔化和（或）汽化，由此产生的硅原子或团簇相互凝聚便形成了纳米颗粒。这些硅纳米颗粒悬浮且分散于溶液中形成胶体。激光烧蚀法制备液相硅纳米粒子是一种新颖有效的方法，与其它制备方法相比，激光烧蚀技术具有以下特点：（1）制备周期短，一般10～30分钟即可得到具有纳米尺度的硅颗粒；（2）实验装置简易、操作方便；（3）硅纳米颗粒纯净，因为在制备过程中硅颗粒是由硅原子或其团簇直接聚集形成，而不会像电化学腐蚀等方法带来其它物质的影响；（4）烧蚀后的硅粗糙表面也是很好的发光材料，并且在制备硅颗粒时也可以重复使用。当在Si胶体中加入无机盐离子时，在电解质的作用下多个Si纳米粒子聚集形成大粒子，此时它的光致发光强度明显下降。经能谱成分分析可看到硅颗粒中含有少量的氧的成分，所以认为硅胶体的发光是由量子限制效应和与Si-0键相关的缺陷共同引起。硅颗粒由于有很大的比表面和表面原子配位不足，所以，很容易吸附其它物质。当在正己烷、甲醛、金胶、银胶溶液中制备硅颗粒并研究它们的光致发光现象时发现：硅颗粒表面成分的不同光致发光峰也不相同，由此可见硅颗粒的发光是由量子限制和表面成分共同决定。然后又比较研究了激光烧蚀法与电化学腐蚀法制备的硅纳米颗粒的发光特性，也发现了类似的结论。
二、钝化多孔硅的光致发光（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、钝化多孔硅的光致发光（论文提纲范文）
（1）多孔硅纳米材料的3D表面处理、光学性能及其应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 多孔硅的概述 |
| 1.2.1 多孔硅的微观结构 |
| 1.2.2 多孔硅的制备方法 |
| 1.2.3 多孔硅的形成机理 |
| 1.2.4 多孔硅的光学性质 |
| 1.3 多孔硅的钝化及功能化 |
| 1.3.1 多孔硅的钝化 |
| 1.3.2 多孔硅的表面功能化 |
| 1.4 多孔硅的应用 |
| 1.4.1 在光学传感器方面的应用 |
| 1.4.2 在生物医药方面的应用 |
| 1.4.3 在光电器件方面的应用 |
| 1.4.4 其他方面的应用 |
| 1.5 本论文研究目的及意义 |
| 1.5.1 本论文研究目的及意义 |
| 1.5.2 本论文研究内容 |
| 2 超疏水多孔硅的制备及其稳定性研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验原料和仪器 |
| 2.2.2 多孔硅片的制备 |
| 2.2.3 氟修饰多孔硅的制备 |
| 2.2.4 氟修饰硅片后处理 |
| 2.2.5 分析测试方法 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 多孔硅改性前后表征结果及讨论 |
| 2.3.2 反应条件对氟修饰多孔硅表面性能的影响 |
| 2.3.3 多孔硅表面稳定性的测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 多孔硅的氧化及其光致发光性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验原料和仪器 |
| 3.2.2 多孔硅微米颗粒的制备 |
| 3.2.3 多孔硅微米颗粒的氧化 |
| 3.2.4 分析测试方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 氧化前后多孔硅的表征结果及讨论 |
| 3.3.2 氧化条件对多孔硅光致发光性能的影响 |
| 3.3.3 氧化机理的分析与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 巯基POSS负载的多孔硅及其对铜离子的检测研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验原料及仪器 |
| 4.2.2 SH-POSS的合成 |
| 4.2.3 多孔硅片的制备 |
| 4.2.4 多孔硅片的表面功能化修饰 |
| 4.2.5 SH-POSS负载多孔硅的制备 |
| 4.2.6 分析测试方法 |
| 4.3 结果讨论 |
| 4.3.1 SH-POSS的分析表征 |
| 4.3.2 多孔硅负载SH-POSS的表征结果与讨论 |
| 4.3.3 多孔硅负载SH-POSS对Cu~(2+)的检测 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 硕士期间研究成果 |
| 个人简历 |
| 致谢 |
（2）P型多孔硅制备、成核机理及其光电性能调控研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多孔硅概述 |
| 1.1.1 多孔硅的分类及反应机制 |
| 1.1.2 多孔硅的制备方法 |
| 1.2 多孔硅的形成机理 |
| 1.3 多孔硅在各领域研究现状 |
| 1.4 本论文的选题思路和研究内容 |
| 1.4.1 选题依据 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 第二章 P型多孔硅成核过程研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验与样品制备 |
| 2.1.1 实验装置 |
| 2.1.2 多孔硅的制备和表征技术 |
| 2.3 实验结果与分析 |
| 2.3.1 P型多孔硅生长模型 |
| 2.3.2 腐蚀电流密度对成核的影响 |
| 2.3.3 氢氟酸浓度对成核的影响 |
| 2.3.4 腐蚀条件对孔隙率的影响 |
| 2.3.5 电解质成分对成核的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 P型多孔硅微结构及光学性能调控实验研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品准备与实验 |
| 3.3 实验结果与分析 |
| 3.3.1 腐蚀电流对多孔硅微结构的影响 |
| 3.3.2 电解质变化对多孔硅微结构的影响 |
| 3.3.3 电解质改性对多孔硅光致发光性能的影响 |
| 3.3.4 发光多孔硅的紫外线响应特性研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于纳米氧化锌复合的多孔硅电学特性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验准备 |
| 4.2.1 多孔硅制备 |
| 4.2.2 基于多孔硅衬底的纳米氧化锌制备 |
| 4.3 多孔硅/氧化锌复合材料分析与性能测试 |
| 4.3.1 多孔硅/氧化锌复合材料结构分析 |
| 4.3.2 多孔硅/氧化锌复合材料光学性能测试 |
| 4.3.3 多孔硅/氧化锌复合电极材料电化学性能测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
（3）水热腐蚀时间对铁钝化多孔硅表面形貌和光致发光的影响（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 实验部分 |
| 3 结果与讨论 |
| 3.1 铁钝化多孔硅的表面形貌 |
| 3.2 铁钝化多孔硅光致发光谱 |
| 4 结论 |
（4）铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究（论文提纲范文）
| 1引言 |
| 2实验 |
| 3结果与讨论 |
| 3. 1铁钝化多孔硅的表面形貌 |
| 3. 2铁钝化多孔硅光致发光谱 |
| 4结论 |
（5）多孔硅的电化学制备与光致发光（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多孔硅概述 |
| 1.2 多孔硅的形成原理 |
| 1.2.1 Beale耗尽模型 |
| 1.2.2 空穴扩散限制模型 |
| 1.2.3 量子限制模型 |
| 1.3 多孔硅的制备方法 |
| 1.3.1 化学腐蚀法 |
| 1.3.2 电化学腐蚀法 |
| 1.3.2.1 单槽电化学腐蚀法 |
| 1.3.2.2 双槽电化学腐蚀法 |
| 1.3.2.3 旋转槽电化学腐蚀法 |
| 1.3.2.4 脉冲电化学腐蚀法 |
| 1.3.3 光化学腐蚀法 |
| 1.3.4 刻蚀法 |
| 1.3.4.1 溅射刻蚀法 |
| 1.3.4.2 蒸汽刻蚀法 |
| 1.3.4.3 气体刻蚀法 |
| 1.3.5 水热腐蚀法 |
| 1.3.6 火花腐蚀法 |
| 1.4 多孔硅的光致发光机理 |
| 1.4.1 量子限制模型 |
| 1.4.2 硅本征态表面态模型 |
| 1.4.3 发光中心模型 |
| 1.4.4 其他关于发光机理的解释 |
| 1.4.4.1 硅-氢键发光 |
| 1.4.4.2 硅氧烯发光 |
| 1.5 多孔硅的微结构 |
| 1.6 多孔硅的后处理 |
| 1.6.1 氧化处理 |
| 1.6.2 钝化处理 |
| 1.6.3 超临界干燥处理 |
| 1.7 多孔硅的应用前景 |
| 1.8 本论文的研究目的及内容 |
| 1.9 本章总结 |
| 第二章 样品的制备及测试 |
| 2.1 电化学腐蚀装置 |
| 2.1.1 电解池的制作 |
| 2.1.2 电路的连接 |
| 2.1.3 硅片的清洗 |
| 2.1.4 腐蚀溶液的配制 |
| 2.1.5 电化学腐蚀实验 |
| 2.2 测试 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 光致发光 |
| 3.1 实验 |
| 3.2 实验数据及分析 |
| 3.2.1 腐蚀液配比对多孔硅光致发光谱的影响 |
| 3.2.2 腐蚀电流密度对多孔硅光致发光谱的影响 |
| 3.2.3 腐蚀时间对多孔硅光致发光谱的影响 |
| 3.2.4 自然氧化对多孔硅光致发光谱的影响 |
| 3.2.5 硝酸处理对多孔硅光致发光谱的影响 |
| 3.2.6 阴极还原对多孔硅光致发光谱的影响 |
| 3.2.7 多孔硅荧光谱的双峰结构 |
| 3.2.8 硝酸处理对多孔硅发光稳定性的影响 |
| 3.2.9 阴极还原处理对多孔硅发光稳定性的影响 |
| 3.2.10 硝酸处理对多孔硅表面不同位置发光性能的影响 |
| 3.2.11 阴极还原处理对多孔硅表面不同位置发光性能的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 结论及未来的方向 |
| 4.1 结论 |
| 4.2 未来的研究方向 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（6）n型多孔硅制备、发光性能及Al表面钝化处理（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 多孔硅研究现状 |
| 1.2 多孔硅形成机制和生长机制 |
| 1.2.1 多孔硅形成机制 |
| 1.2.2 多孔硅生长机制 |
| 1.3 多孔硅制备机理 |
| 1.3.1 阳极腐蚀法 |
| 1.3.2 光化学腐蚀法 |
| 1.3.3 水热腐蚀法 |
| 1.4 多孔硅发光机理 |
| 1.4.1 量子限制模型 |
| 1.4.2 表面态模型 |
| 1.4.3 量子限制—发光中心模型 |
| 1.5 多孔硅发光性能及改进措施 |
| 1.5.1 多孔硅表面钝化 |
| 1.5.2 注入稀土离子 |
| 1.5.3 多孔硅与有机物复合 |
| 1.6 多孔硅应用 |
| 1.6.1 传感器 |
| 1.6.2 电池 |
| 1.6.3 多孔陶瓷 |
| 1.6.4 多孔硅电致发光器件 |
| 1.6.5 多孔硅光电探测器 |
| 1.7 论文研究内容及目的 |
| 第二章 光照腐蚀制备n-PS及光致发光性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验准备 |
| 2.2.1 实验原料与实验仪器 |
| 2.2.2 实验原理 |
| 2.2.3 实验方法 |
| 2.2.4 电解腐蚀 |
| 2.2.5 n-PS清洗、干燥与保存 |
| 2.2.6 n-PS测试 |
| 2.3 实验结果和讨论 |
| 2.3.1 光照对n-PS发光性能(PL)的影响 |
| 2.3.2 光照条件下形成n-PS的结构和形貌 |
| 2.3.3 光照条件下n-PS发光性能(PL)的影响因素 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 脉冲腐蚀法制备n-PS及光致发光性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 实验原料与实验仪器 |
| 3.2.2 实验原理 |
| 3.2.3 实验方法 |
| 3.2.4 n-PS测试 |
| 3.3 实验结果和分析 |
| 3.3.1 脉冲腐蚀对n-PS发光性能的影响 |
| 3.3.2 腐蚀时间对n-PS发光性能的影响 |
| 3.3.3 占空比对n-PS发光性能的影响 |
| 3.3.4 脉冲频率对n-PS发光性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 电化学Al钝化n-PS的发光性能改进研究 |
| 4.1. 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 实验试剂及仪器 |
| 4.2.2 实验方法 |
| 4.2.3 n-PS测试 |
| 4.3 实验结果和讨论 |
| 4.3.1 Al钝化对n-PS发光性能和表面形貌的影响 |
| 4.3.2 钝化电压对n-PS的发光强度影响 |
| 4.3.3 钝化时间对n-PS的发光强度影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间的主要成绩 |
| 致谢 |
（7）表面沉积铜薄膜多孔硅的制备及其发光特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多孔硅的研究现状 |
| 1.2 多孔硅的制备方法 |
| 1.2.1 电化学腐蚀法(阳极腐蚀法) |
| 1.2.2 光化蚀法学腐 |
| 1.2.3 刻蚀法 |
| 1.2.4 水热腐蚀法 |
| 1.3 提高多孔硅发光强度和稳定性的方法 |
| 1.3.1 表面氧化处理 |
| 1.3.2 金属钝化多孔硅表面 |
| 1.3.3 粒子辐照 |
| 1.4 多孔硅的应用 |
| 1.4.1 多孔硅在光电探测器方面的应用 |
| 1.4.2 多孔硅在光电集成器件中的应用 |
| 1.4.3 多孔硅在传感技术中的应用 |
| 1.4.4 多孔硅在太阳能电池中的应用 |
| 1.5 本论文研究的内容和意义 |
| 1.6 本论文研究的创新点 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 实验所需原材料以及仪器 |
| 2.2 材料性能表征 |
| 第三章 多孔硅制备及发光特性研究 |
| 3.1 电解池实验装置和实验方法 |
| 3.1.1 电解池实验装置 |
| 3.1.2 实验方法 |
| 3.1.3 保存方法 |
| 3.2 结果与讨论 |
| 3.2.1 多孔硅表面形貌的表征 |
| 3.2.2 多孔硅孔隙率的研究 |
| 3.2.3 多孔硅层厚度的研究 |
| 3.3 多孔硅的形成机理模型 |
| 3.3.1 Beal耗尽模型 |
| 3.3.2 扩散限制模型 |
| 3.3.3 量子理论模型 |
| 3.4 多孔硅光致发光性能研究 |
| 3.5 多孔硅的光致发光机理模型 |
| 3.5.1 量子限制效应模型 |
| 3.5.2 表面态发光模型 |
| 3.5.3 复合发光模型 |
| 3.5.4 硅-氢键或多硅烷的发光 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 表面沉积铜的多孔硅发光特性研究 |
| 4.1 实验方法 |
| 4.1.1 实验条件的设定 |
| 4.1.2 实验 |
| 4.2 表面沉积铜多孔硅的表面形貌 |
| 4.3 沉积铜后多孔硅的光致发光性能 |
| 4.4 发光机理 |
| 4.4.1 XPS研究 |
| 4.4.2 FTIR研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 攻读硕士期间的学术成果 |
（8）多孔硅复合结构传感性能的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多孔硅的制备 |
| 1.1.1 一般的制备方法 |
| 1.1.2 制备多孔硅的新技术 |
| 1.1.3 多孔硅的形成机理 |
| 1.2 多孔硅的发光性质 |
| 1.2.1 光致发光 |
| 1.2.2 电致发光 |
| 1.2.3 多孔硅的发光机理 |
| 1.3 多孔硅的钝化及表面修饰 |
| 1.3.1 非金属元素的表面钝化 |
| 1.3.2 金属修饰多孔硅表面 |
| 1.3.3 有机高分子修饰多孔硅表面 |
| 1.3.4 多孔硅表面的生物功能性修饰 |
| 1.4 多孔硅在器件上的应用 |
| 1.4.1 基于多孔硅的光电器件 |
| 1.4.2 多孔硅化学传感器 |
| 1.4.2.1 气体传感器 |
| 1.4.2.2 多孔硅对离子的传感 |
| 1.4.3 多孔硅生物传感器 |
| 1.5 本课题选题依据 |
| 参考文献 |
| 第二章 多孔硅的制备及氧化处理 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 试剂及仪器 |
| 2.3 实验过程 |
| 2.3.1 硅片的清洗 |
| 2.3.2 硅片的光电化学刻蚀 |
| 2.3.3 多孔硅的稳定性处理及清洗 |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 硝酸处理前后多孔硅的荧光强度比较 |
| 2.4.2 红外光谱分析（FTIR） |
| 2.4.3 硝酸氧化时间对荧光强度的影响 |
| 2.4.4 讨论 |
| 2.5 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 新生多孔硅表面的银粒子自组装 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 试剂及仪器 |
| 3.2.2 多孔硅刻蚀 |
| 3.2.3 硝酸银溶液处理多孔硅 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 扫描电镜形貌观察结果 |
| 3.3.2 浸泡时间和 AgNO_3 溶液浓度对多孔硅光致发光的影响 |
| 3.3.3 样品的红外光谱分析 |
| 3.3.4 样品的X 光电子能谱分析 |
| 3.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 多孔硅复合结构对尿素传感性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 试剂及仪器 |
| 4.3 实验 |
| 4.3.1 多孔硅的制备 |
| 4.3.2 光氧化稳定性处理多孔硅 |
| 4.3.3 尿素的吸附与电性质测量 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 电化学刻蚀得到多孔硅的扫描电镜显微照片 |
| 4.4.2 两种器件结构和对应的电流（I）-电压（V） |
| 4.4.3 Al/PS/Si/Al 结构lgI～V 关系和电流浓度关系 |
| 4.4.4 Al-PS-Al 结构的lgI～V 关系和电流浓度关系 |
| 4.5 结论 |
| 参考文献 |
| 第五章 多孔硅电极对抗坏血酸的检测 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 试剂及仪器 |
| 5.3 实验 |
| 5.3.1 多孔硅的阴极稳定性处理 |
| 5.3.2 阴极稳定性处理的多孔硅的测量抗坏血酸溶液 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 全文总结 |
| 硕士期间发表的论文目录 |
| 致谢 |
（9）多孔硅光电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 多孔硅概述 |
| 1.1.1 单晶硅 |
| 1.1.2 多孔硅 |
| 1.2 多孔硅的应用研究 |
| 1.3 本论文研究的主要内容 |
| 第二章 多孔硅的制备方法及发光机理 |
| 2.1 多孔硅的制备方法 |
| 2.1.1 阳极腐蚀法 |
| 2.1.2 光化学腐蚀法 |
| 2.1.3 化学腐蚀法 |
| 2.1.4 染色腐蚀法 |
| 2.1.5 火花放电法 |
| 2.1.6 水热腐蚀法 |
| 2.2 多孔硅的形成机理 |
| 2.2.1 量子限制模型 |
| 2.2.2 Beale耗尽模型 |
| 2.3 多孔硅的光致发光 |
| 2.3.1 多孔硅的光致发光特性 |
| 2.3.2 多孔硅的光致发光机理 |
| 2.4 多孔硅的电致发光 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 多孔硅有效介电函数研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 理论模型 |
| 3.2.1 Maxwell-Garnett模型 |
| 3.2.2 经验公式 |
| 3.2.3 组分介电模型 |
| 3.3 计算及讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 金属/多孔硅/硅结构发光器件输运特性的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 理论模型 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 电场强度 |
| 4.3.2 电场分布 |
| 4.3.3 电流与电压关系 |
| 4.3.4 镜像势对电流影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 钨钝化多孔硅性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验 |
| 5.2.1 样品制备仪器及其原理 |
| 5.2.2 硅片的清洗及后处理 |
| 5.2.3 检测 |
| 5.2.4 结果和讨论 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 前景展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间所发表的论文目录 |
（10）硅纳米材料的制备及其光学特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 绪论 |
| 综述部分 |
| 第一章 硅纳米颗粒的特性及研究方法 |
| 1.1 硅纳米颗粒的研究进展与制备方法 |
| 1.1.1 引言 |
| 1.1.2 制备硅纳米颗粒的方法 |
| 1.1.3 激光与物质相互作用的机理 |
| 1.2 胶体特性简介 |
| 1.3 纳米结构单元及其特性 |
| 1.3.1 小尺寸效应 |
| 1.3.2 表面效应 |
| 1.3.3 量子尺寸效应 |
| 1.3.4 宏观量子隧道效应 |
| 1.4 硅纳米结构的表征方法 |
| 第二章 多孔硅的制备、钝化及结构特性 |
| 2.1 多孔硅材料的研究历史与发展趋势 |
| 2.1.1 引言 |
| 2.1.2 多孔硅材料的研究历史 |
| 2.1.3 多孔硅的应用前景 |
| 2.2 多孔硅的制备方法、形成机理和钝化 |
| 2.2.1 多孔硅的制备方法 |
| 2.2.2 多孔硅的形成机理 |
| 2.2.3 多孔硅的钝化 |
| 2.3 多孔硅的结构特性研究 |
| 第三章 半导体纳米材料的光学性质 |
| 3.1 半导体在低维体系中的能级和态密度 |
| 3.1.1 能级 |
| 3.1.2 态密度 |
| 3.2 半导体纳米材料的电子结构 |
| 3.3 硅纳米材料的光学性质 |
| 3.3.1 硅纳米材料的光吸收 |
| 3.3.2 硅纳米材料的光发射 |
| 实验部分 |
| 第一章 提高多孔硅的光致发光性能的探索研究 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 实验部分 |
| 1.2.1 电解池实验装置 |
| 1.2.2 清洗样品 |
| 1.2.3 实验过程 |
| 1.2.4 测量仪器 |
| 1.3 结果与讨论 |
| 1.3.1 表面形貌分析 |
| 1.3.2 提高多孔硅光致发光的方法 |
| 1.4 结论 |
| 第二章 激光对硅表面的改性及与多孔硅的光致发光比较研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 激光烧蚀装置 |
| 2.2.2 清洗样品 |
| 2.2.3 制备样品 |
| 2.2.4 测量仪器 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 脉冲激光 1064nm 与硅片相互作用机制 |
| 2.3.2 准分子激光器 248nm 与硅片相互作用机制 |
| 2.3.3 激光烧蚀后的 Si 片与多孔硅光致发光比较 |
| 2.4 结论 |
| 第三章 激光烧蚀法制备硅纳米颗粒的产物研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验装置 |
| 3.2.2 清洗与制备样品 |
| 3.2.3 测量仪器 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 纳米颗粒形成机理 |
| 3.3.2 硅纳米颗粒的紫外-可见吸收光谱 |
| 3.3.3 硅纳米颗粒的光致发光谱 |
| 3.3.4 其它溶液中硅纳米颗粒的光致发光 |
| 3.4 结论 |
| 第四章 激光烧蚀法和电化学腐蚀法制备硅纳米颗粒的光谱学特性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验及装置 |
| 4.2.1 制备样品 |
| 4.2.2 测量仪器 |
| 4.3 实验结果及讨论 |
| 4.3.1 纳米颗粒形貌表征 |
| 4.3.2 硅纳米颗粒的紫外-可见吸收光谱 |
| 4.3.3 硅纳米颗粒的光致发光谱 |
| 4.4 结论 |
| 第五章 硅纳米材料的研究与展望 |
| 参考文献 |
| 绪论参考文献 |
| 综述部分 |
| 第一章参考文献 |
| 第二章参考文献 |
| 第三章参考文献 |
| 实验部分 |
| 第一章参考文献 |
| 第二章参考文献 |
| 第三章参考文献 |
| 第四章参考文献 |
| 第五章参考文献 |
| 附录 |
| 致谢 |
四、钝化多孔硅的光致发光（论文参考文献）
- [1]多孔硅纳米材料的3D表面处理、光学性能及其应用研究[D]. 苗笑梅. 杭州师范大学, 2020(02)
- [2]P型多孔硅制备、成核机理及其光电性能调控研究[D]. 卢乐. 江苏大学, 2019(02)
- [3]水热腐蚀时间对铁钝化多孔硅表面形貌和光致发光的影响[J]. 陈景东,张婷,汪庆祥. 光学学报, 2014(09)
- [4]铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究[J]. 陈景东,张婷. 发光学报, 2014(02)
- [5]多孔硅的电化学制备与光致发光[D]. 李陈发. 南昌大学, 2011(04)
- [6]n型多孔硅制备、发光性能及Al表面钝化处理[D]. 喻振兴. 中南大学, 2010(02)
- [7]表面沉积铜薄膜多孔硅的制备及其发光特性研究[D]. 马婷婷. 昆明理工大学, 2009(02)
- [8]多孔硅复合结构传感性能的研究[D]. 薛亮. 山东师范大学, 2009(09)
- [9]多孔硅光电性能研究[D]. 卓敬清. 中南大学, 2008(01)
- [10]硅纳米材料的制备及其光学特性研究[D]. 赵美红. 首都师范大学, 2007(02)