一、金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究（论文文献综述）
李松举[1]（2020）在《SiOx/SiNx栅极绝缘层及其LTPS-TFT研究》文中进行了进一步梳理随着显示技术的发展,显示面板对薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）的性能要求日渐提高。在TFT中,栅极绝缘层具有举足轻重的地位,通过提高栅极绝缘层性能进而提高TFT器件的总体性能,是当前重要的研究方向之一。本文基于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法,研究了作为栅极绝缘层的非晶氧化硅（Si Ox）和氮化硅（Si Nx）单层薄膜的性质,并在此基础上进一步研究了Si Ox和Si Nx单层薄膜性质的变化对Si Ox/Si Nx复合栅极绝缘层性能和低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS-TFT）器件性能的影响。本文首先探究了不同工艺参数对单层薄膜性质的影响。研究发现,Si Ox薄膜的致密性随沉积功率的增加（650W～2000W）而提高,其原因是高功率可产生较强的离子轰击效应从而使所沉积薄膜的结构更稳固。对于Si Nx薄膜,当薄膜的氮含量高于Si3N4化学计量比时,硅烷流量的增加（270sccm～500sccm）可以使薄膜成分更接近Si3N4的化学计量比,从而减少薄膜中的氢杂质,提高薄膜的致密性。在优化Si Ox、Si Nx单层薄膜的基础上,开展了Si Ox/Si Nx复合栅极绝缘层薄膜的研究。研究发现,低气压（750m Torr～1000m Torr）沉积可保证所沉积Si Ox和Si Nx薄膜的致密性,减少复合栅极绝缘层内的缺陷,从而提高击穿电压。此外,增加Si Ox的沉积功率（900W～2000W）可增加薄膜的致密性,且在退火后可以降低薄膜内的缺陷含量,有利于增强复合栅极绝缘层的介电和耐压能力。基于对上述Si Ox/Si Nx复合栅极绝缘层的LTPS-TFT器件的研究发现,通过增加Si Ox、Si Nx沉积时的功率（900W～2700W）,增加Si Nx沉积时的硅烷流量（270sccm～500sccm）,可以显着提高绝缘层薄膜的致密性,从而有效降低阈值电压绝对值(|Vth|)和亚阈值摆幅（S.S.）,提升器件性能。最终获得了Vth为-0.16V,S.S.为0.12V的高性能LTPS-TFT器件。
周康健[2]（2020）在《基于阳极氧化制备绝缘层的IGZO-TFT的制备与研究》文中研究表明非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,a-IGZO TFT）凭着迁移率高、均一性好、可透明化和可柔性化等优点,常用于大面积制备和柔性显示,在显示区域有着巨大的发展潜力。本论文根据氧化铝绝缘层可在金属铝上阳极氧化生长的特点和无机绝缘层耐压性高的特点,研究阳极氧化法对于器件漏电流的减小及主要性能的优化。在器件的各层薄膜中,主要研究绝缘层和有源层的特性。实验中首先对TFT器件的绝缘层单层薄膜进行研究。论文中采用4种不同的阳极氧化电解溶液和5种不同阳极氧化工艺制备氧化铝薄膜,采用不同氧分压和溅射功率来制备a-IGZO薄膜。为了研究阳极氧化相比其它工艺对漏电流的优化,制备了基于不同工艺下绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate,PMMA）的TFT器件,用于对比实验。由于器件性能不只有绝缘层决定,在不同阳极氧化工艺下制备器件,完成对TFT器件的优化。实验发现由于电解质溶液决定了阳极氧化薄膜的类型,酸性溶液生成多孔型,中性和碱性溶液生成壁垒型,实验发现中性溶液下器件性能优于酸性溶液下的器件,载流子迁移率提高了12倍,电流开关比提高了2.7倍,阈值电压减小了2V,亚阈值摆幅减小了2.1V/dec。阳极氧化过程中的恒流模式时长会影响薄膜阳极氧化第一阶段的溶解程度,实验发现时长为1200s器件性能最佳,载流子迁移率提高了31%,电流开关比没有明显增幅,阈值电压减小了0.2V,亚阈值摆幅减小了0.8V/dec。不同阳极氧化工艺下最佳器件的关态电流为1.0×10-8,电流开关比达到8.0×103,载流子迁移率最高达到2.52cm2/V·s,阈值电压最低为3.9V,亚阈值摆幅为3.6V/dec。由于氧化铝薄膜在水溶液环境中制备,薄膜的表面形貌会影响器件性能,实验制备复合绝缘层器件进行优化,结合氧化铝和PMMA为复合绝缘层,最佳器件的关态电流为3.2×10-9,电流开关比达到2.0×104,载流子迁移率最高达到2.55cm2/V·s,阈值电压最低为4.5V,亚阈值摆幅为4.4V/dec。实验发现阳极氧化绝缘层在减小器件漏电流上有明显效果,关态漏电流明显下降两个数量级,电流开关比增大了12.5倍;载流子迁移率增大了2.5倍,阈值电压和亚阈值摆幅均有所下降。
高婷[3]（2019）在《四端多晶硅TFT抑制热载流子退化的TCAD仿真分析》文中指出近年来,低温多晶硅薄膜晶体管（Thin-Film Transistor,TFT）被广泛应用在平板显示领域,实现像素矩阵与驱动电路的板上集成。然而在实际应用中,多晶硅TFT会受到各种交流和直流电应力的影响,使器件的特性发生退化,并最终影响产品显示质量和寿命,其中热载流子（Hot Carrier,HC）是多晶硅TFT的主要退化机制。本文在传统TFT器件的沟道侧面增加反向掺杂的载流子注入端获得新型四端TFT器件,实现了在器件层面上大幅度抑制器件的退化。借助计算机辅助设计（Technology Computer Aided Design,TCAD）仿真工具,本文主要研究了四端多晶硅TFT器件中载流子注入端的位置和宽度分别对静态和动态HC退化抑制的影响以及其中的物理机制。根据仿真结果,对四端器件结构进行优化,提高器件在静态/动态HC条件下的可靠性。1.静态HC仿真:仿真结果显示四端TFT器件能有效抑制翘曲（kink）效应及相关的HC退化,并且注入端越靠近漏端或者注入端越宽,抑制退化的效果越明显。分析表明kink效应的抑制机制为:越靠近漏端的注入端或者越宽的注入端能更有效地收集由漏端碰撞离化产生的空穴,降低了寄生双极型晶体管的影响,从而抑制kink效应及相关的HC退化。仿真表明kink电流的抑制与漏端电场的下降无关。2.动态HC仿真:本文从注入电流、注入端结开启过程、沟道空穴浓度变化及漏端电场等方面来展开研究。仿真显示四端TFT器件能有效抑制动态HC退化,并且注入端越靠近漏端或者注入端越宽,抑制退化的效果越明显。动态HC退化的抑制机制为:在栅压下降沿时,越靠近漏端的注入端注入的空穴先到达漏端,越宽的注入端会注入更多的空穴,更有利于消除沟道的非平衡状态,进一步降低漏端电场,因此抑制动态HC退化的效果越好。此外,本文还研究了泄漏电流不同的两种器件的抑制效果。仿真结果表明,本文的结论同时适用于这两种器件。
李育智[4]（2019）在《溶液加工氧化物薄膜晶体管器件研究》文中指出薄膜晶体管（TFT）,作为实现电信号处理、控制与传输功能的基础元器件,广泛应用于平板显示、柔性电子和智能电子等新兴领域。氧化物TFT由于具有较高的载流子迁移率(1-100cm2V-1s-1)、对可见光透明、大面积均匀性好等优势而在过去的十几年间引起了广泛关注。目前,以IGZO（indium-gallium-zinc-oxide）为有源层的氧化物TFT已实现了量产,但该半导体薄膜采用物理气相沉积法制备,需要昂贵的真空设备和光刻设备,造成器件制备成本高。溶液加工无需真空设备,是一种可以大大降低生产成本、实现大面积制备氧化物TFT的方法。本论文作者围绕溶液加工氧化物TFT开展了一系列的研究,在氧化物薄膜的直接光刻图形化、喷墨印刷短沟道TFT、喷墨印刷自对准TFT、全喷墨印刷TFT和基于喷墨印刷TFT背板的有源矩阵量子点发光二极管（AMQLED）字符显示器方面取得了进展,为今后溶液加工氧化物TFT的应用开辟了一条可行的路径。本论文的主要成果概况如下:（1）研究了基于水溶剂的氧化物前驱体薄膜的紫外微图形化技术,无需光刻胶就能实现图形化,简化了工艺,降低了成本,同时降低了薄膜的退火温度。研究表明图形化过程中所使用的紫外照射和去离子水处理不仅将In-Cl转化为In-OH,并且极大减少了前驱体薄膜中Cl-杂质含量,从而大大降低了薄膜的后退火温度和最终氧化物薄膜中的缺陷。图形化InOx TFT的场效应迁移率是未图形化InOx TFT场效应迁移率的十倍以上。为进一步提升低温图形化InOx TFT器件的性能,本论文对InOx薄膜进行Li掺杂并进行了成分的优化,在180℃的退火条件下,15at.%Li掺杂的InOx:Li TFT表现出优异的电学特性,其饱和迁移率为8.35±1.25cm2V-1s-1,且器件在聚苯乙烯钝化后表现出良好的正负栅偏压稳定性。（2）利用喷墨印刷中的咖啡环效应制备了窄宽度的疏水咖啡条纹,在此基础上,利用疏水咖啡环条纹的阻隔效应和去润湿效应,实现了源漏电极前驱体墨水的短距离隔离,并进一步实现了印刷短沟道氧化物TFT。该方法克服了普通喷墨打印设备精度低和墨水在基板上铺展难以控制的限制,所制备的短沟道ITO电极对的沟道长度均小于5μm且具有良好的均一性,短沟道InOx TFT的最大饱和迁移率为4.9cm2V-1s-1,电流开关比高达2.7×109。（3）采用喷墨印刷制备的疏水聚合物咖啡条纹作为刻蚀阻挡层实现栅极和介质层的等宽度图形化,利用阳极氧化实现栅极两侧绝缘层的覆盖生长,从而实现介质层对栅极的包覆,进一步利用源漏电极前驱体墨水在疏水聚合物咖啡条纹上的去润湿效应而实现源漏电极与栅电极的自对准,在此基础上实现印刷自对准氧化物TFT。所制备的自对准In0.95Sc0.05Ox TFT的寄生电容低至0.37pF,器件工作截止频率达到2.1MHz。（4）研究了一种通用的“溶剂印刷”技术,解决了氧化物TFT叠层、跨膜印刷的墨滴图案难以控制的问题,首次实现了全印刷的氧化物TFT阵列。研究表明疏水图案不仅有效地限制了氧化物前驱体油墨的铺展,从而定义了印刷氧化薄膜的图案,而且还提供了一种调节印刷氧化物薄膜表面形貌的简单方法。通过对TFT器件结构和介质层材料进行优化,本论文实现了平均迁移率为10.8cm2V-1s-1的全印刷顶栅In0.95Ga0.05Ox TFT,并且器件在正负栅偏压下均表现出优异的稳定性。（5）采用“溶剂印刷”技术实现了顶栅结构印刷氧化物TFT背板,并进一步在印刷TFT背板上集成溶液加工量子点发光二极管,从而首次实现基于喷墨印刷氧化物TFT背板的AMQLED简单字符显示器,初步验证了喷墨印刷氧化物TFT应用于显示器件的可行性。
韩德栋,董俊辰,李慧津,郁文,王漪,张兴[5]（2019）在《金属氧化物薄膜晶体管发展及其应用》文中进行了进一步梳理随着新型显示产品的快速发展,有源显示器对薄膜晶体管的性能要求越来越高。传统的非晶硅薄膜晶体管已不能满足新型显示器的高清晰、高亮度、柔性以及窄边（无边）框的需求,研究和开发新型薄膜晶体管成为了研究和产业界的重要课题之一。主要介绍了薄膜晶体管在新型显示技术中的研究背景;薄膜晶体管的发展历史以及近年来氧化物薄膜晶体管的研究进展和应用前景等内容。
闫晓剑[6]（2018）在《AMOLED显示屏像素驱动电路的设计与实现》文中进行了进一步梳理AMOLED（Active Matrix Organic Light Emitting Diode）主动矩阵有机发光显示屏是继PDP（Plasma Display Panel）等离子显示屏、LCD（Liquid Crystal Display）液晶显示屏以来的第三代平板显示技术,具备自发光、响应速度快、驱动电压低、功耗低、全固态结构、超轻薄、宽视角、使用温度范围宽等诸多优点,可以用来制作柔性显示屏、透明显示屏,而这正是传统平板显示技术无法做到的,其代表了最新的平板显示技术发展趋势。由于AMOLED显示屏的每个像素都是由OLED（Organic Light Emitting Diode）发光单元构成的,不同于TFT（Thin Film Transistor）-LCD像素液晶单元的电压驱动要求,OLED发光单元是有机材料电致发光,因此要求电流驱动,而传统用于TFTLCD像素单元电压驱动的非晶硅TFT技术由于载流子迁移率低,阈值电压漂移大等等问题,是不适于继续用于驱动AMOLED显示屏像素单元的。本论文即是针对上述问题,设计了2T1C（2 Transistor 1 Capacitor）的AMOLED显示屏像素驱动电路,对影响AMOLED显示屏特性的各项电路参数进行了设计,并进行了仿真验证,为了提高TFT器件的驱动能力,采用MILC（Metal Induced Lateral Crystallization）的多晶硅结晶化技术开发了顶栅构造的LTPS（Low Temperature PolySilicon）-TFT器件,为了提高AMOLED显示屏的亮度,采用高效率的磷光材料及长寿命的荧光材料开发了底部发光的OLED器件,实现了AMOLED显示屏的模组显示,主要研究内容为:1.以平板显示技术为整体参照,研究分析了OLED技术的特点及相关的TFT和驱动技术发展趋势。2.按照AMOLED显示屏的技术要求,结合LTPS-TFT器件和AMOLED发光器件的特性,设计了2T1C的AMOLED像素驱动电路,根据显示屏的技术指标要求,设计了像素驱动电路的各项参数,设计了DEMUX（Demultiplexer）栅极解码电路及R（Red）/G（Green）/B（Blue）的数字解码电路并在AMOLED显示屏的周边进行集成。3.采用顶栅构造的LTPS-TFT器件工艺,MILC的侧向诱导结晶化方法,实现了AMOLED像素驱动TFT基板的制备;采用底部发光的AMOLED器件构造,高效率磷光及长寿命的荧光材料,实现了AMOLED发光单元的制备。实现了2T1C像素驱动电路的AMOLED显示屏制备,采用数字驱动芯片完成了AMOLED显示屏模组驱动,测试结果在显示屏各项指标要求方面都达到了要求。
武燕文[7]（2018）在《含载流子注入端的四端多晶硅薄膜晶体管的可靠性研究》文中认为在基于薄膜晶体管（TFT:Thin-Film Transistor）的电路中,热载流子（HC:Hot Carrier）引起的器件退化是 N 型低温多晶硅（LTPS:Low Temperature Polycrystalline-Silicon）TFT面临的极为关键的一个可靠性问题。此外,本文引入了“四端多晶硅TFT”,即在沟道侧面制备—P+掺杂的载流子注入端。首先,本文研究了 N型多晶硅TFT在双极型栅脉冲与低漏端直流应力共同作用下的退化。研究发现,在栅脉冲与漏端直流应力下的退化行为与仅由双极型栅脉冲引起的器件特化行为相似。其主导的退化机制为动态HC退化。此外,实验结果表明传统多晶硅TFT与四端多晶硅TFT的动态退化均强烈依赖于漏端直流偏置电压。漏端直流偏压相对越正,器件的动态HC退化将更为严重。然而,在相同应力条件下,四端TFT的器件退化比传统TFT的退化要弱得多。且非平衡PN结退化模型可以很好的解释上述退化行为。其次,本文对N型多晶硅传统TFT、轻掺杂漏（LDD:Lightly Doped Drain）TFT与四端TFT进行了系统的比较研究,重点比较了 TFT的性能及在直流（DC）和交流（AC）HC条件下的可靠性。值得注意的是,这三种N型多晶硅TFT采用同样的CMOS LTPS量产工艺,在同一玻璃基板上制备。与LDD多晶硅TFT相比,四端多晶硅TFT也可以抑制kink电流和DC HC退化,但同时四端TFT器件无需在器件特性与工艺上进行折衷。此外,四端多晶硅TFT对于动态HC退化的抑制效果远远比LDDTFT有效得多。综上,在CMOSLTPSTFT工艺中,相比LDD多晶硅TFT,四端多晶硅TFT具有低制作成本、高器件性能和优越的抑制DC/AC HC退化能力的优势。最后,为了进一步优化器件的结构和可靠性,从载流子注入端的几何参数（宽度和位置）方面着手,本文分析了四端器件动态HC退化的几何效应。实验结果表明,居于沟道侧面中央的载流子注入端宽度越宽时,四端多晶硅TFT对动态HC退化的抑制效果越好。此外,本文还发现当载流子注入端的位置在“栅脉冲下降沿时所对应的漏端耗尽区边界”附近时,四端多晶硅TFT抑制器件动态HC退化的效果最佳。基于非平衡PN结退化模型,以漏端耗尽区边界为基准,可很好地理解载流子注入端的宽度和位置对器件退化的影响。
齐栋宇[8]（2018）在《ELA多晶硅TFT以及EMMO a-IGZO TFT在直流栅极偏置应力下的退化研究》文中提出本文对于P型准分子激光结晶（Excimer Laser Annealing,ELA）多晶硅薄膜晶体管（Thin Filml Transistor,TFT）和非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）沟道的EMMO（Elevated-Metal Metal-Oxide）TFT在直流栅极偏置温度应力下的可靠性进行了系统的研究,总结了退化规律,并提出了相应的退化模型。1.P型ELA多晶硅TFT首先,本文对比了采用不同激光能量密度条件晶化得到的多晶硅薄膜的性质以及多晶硅TFT的特性,得到了优化的能量密度工艺窗口为470 m J/cm2到510 m J/cm2。关于P型ELA多晶硅TFT在直流栅极偏置应力下的可靠性,本文发现在直流栅极负偏置温度（Negative Bias Temperature,NBT）应力下,器件的退化主要表现为转移特性曲线随应力时间增加往Vg负方向漂移。其主要退化机制为:多晶硅和栅氧界面的Si―H键在应力下断开,断键后产生的H与Si Ox发生反应,产生固定正电荷（Si+）。然而器件在直流栅极正偏置温度（Positive Bias Temperature,PBT）应力下呈现较为复杂的两阶段退化,第一阶段退化主要表现为转移曲线往Vg正方向移动,并在亚阈值区出现hump,其主要退化机制为电子通过F-N（Fowler-Nordheim）隧穿注入到栅氧化层内;而第二阶段退化主要表现为转移曲线漂移方向变成Vg负方向,退化主要是由栅氧化层中可移动H+在界面积累和固定Si+正电荷的产生所共同引起的。2.EMMO a-IGZO TFT本文发现EMMO a-IGZO TFT在PBT应力下呈现一种反常的退化规律。随着应力时间增加,器件的转移特性曲线往Vg负方向漂移。短应力时间内曲线的亚阈值区没有变化,但是当达到一定的应力时间后亚阈值区出现了hump现象。对于相同L不同W的器件,hump几乎发生在相同的电流水平;对于相同W不同L的器件,短沟道器件在PBT应力下的hump现象更为显着。本文认为是由于正电荷在背沟道处被俘获导致了转移特性曲线的负漂;hump是由W方向的边缘寄生晶体管引入的,因此hump电流大小与W无关;在短沟道器件中,由于源/漏区域中高浓度的氧空位横向扩散的影响,其在PBT应力下表现出的hump现象更为显着。
魏博[9]（2016）在《多晶硅少数载流子寿命的表征研究》文中认为近年来有源矩阵有机发光二极管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED）的兴起给平板显示行业注入了新的活力。低温多晶硅（Low temperature poly-silicon,LTPS）薄膜晶体管（Thin Film Transistors,TFTs）因其具有较大的迁移率,较小的漏电流和稳定的器件特性等优点,被认为可以代替传统非晶硅薄膜晶体管并应用在AMOLED的驱动电路制作中。但低温多晶硅技术相对于传统的非晶硅技术来说,制作工艺较为复杂,特别是器件特性及其均一性的控制成为其工艺难点之一。其中,作为有源层的多晶硅薄膜的质量对器件特性的影响尤为显着,但目前在工业生产中仍缺乏对其有效的在线监测手段。因此,本论文针对基于微波光电导反射法的多晶硅少子寿命的表征方法开展研究,深入讨论了激光注入能量和多晶硅各项质量参数对测试结果的影响。论文研究工作具有现实意义。论文首先通过调整少子寿命测试设备的激光注入能量,测量了不同表面状态的多晶硅样品的微波反射信号,并分析了激光注入能量对测试信号的影响,随后又采用不同质量的多晶硅样品进行了验证。实验结果表明,当激光注入能量保持在小注入范围内且能量稳定,则测试所得微波反射信号与样品少子寿命基本成正比例关系。但当光注入量超出小注入范围,则微波反射信号与样品电导率的正比例关系消失,此少子寿命测试方法不再适用。表面钝化可显着增加多晶硅薄膜样品的微波反射信号,但同时也更容易使光注入量超出小注入范围。因此,对于不同表面状态的样品,需要注意激光注入能量的选择以保证其保持在小注入范围。其次采用激光晶化的方法制备了不同膜厚和质量的多晶硅薄膜,测试其晶粒尺寸、粗糙度和杂质含量,并使用微波光电导反射法测试其少子寿命。实验结果表明,在晶粒尺寸小于270nm时,较薄的多晶硅薄膜具有相对较长的少子寿命,而当晶粒尺寸大于270nm时则结果正好相反;原因在于晶粒尺寸较小时多晶硅薄膜的体寿命居于主导作用并随着薄膜厚度的增加而变短,晶粒尺寸较大时多晶硅薄膜表面寿命影响显着增强并与薄膜厚度成正比。当硼离子浓度较小时,多晶硅薄膜的电导率与掺杂浓度成反比,所以微波反射信号也随掺杂浓度的增加而降低。论文研究所得结果对于生产中的多晶硅质量监控具有一定的参考价值。
王槐生[10]（2016）在《薄膜晶体管器件在动态应力下的退化研究》文中研究指明近几年来,以多晶硅或金属氧化物半导体为沟道材料的薄膜晶体管（TFTs）在面向高清电视和智能化、可触控式多媒体技术等新型平板显示产业中的应用而备受关注。目前,以低温多晶硅和铟镓锌氧（a-IGZO）为基础的TFT技术因为具有较高的迁移率和较低的工艺温度等优势已经成为新一代有源矩阵驱动的平板显示方案的重要研究方向。但是,TFTs的可靠性问题同样也限制着平板产业的进一步发展。在实际的工作电路中,TFTs不仅受到直流偏压的电应力而且还要承受着开关切换脉冲或信号变化等交流电信号的作用。相对而言,直流偏压的影响和作用的物理过程比较清楚,但交流脉冲下的退化现象及退化机制目前均没有统一的退化模型。因此,在本文中,我们分别研究了多晶硅TFTs和a-IGZO TFTs在各种动态应力下的退化现象,并提出了相应的退化机制。本文的主要研究内容和结果可概括如下:（一）多晶硅TFTs在动态应力下的退化在多晶硅TFTs的栅极施加脉冲电应力的作用下,通过改变栅脉冲的不同应力条件,具体研究了器件的退化与脉冲的上升沿、下降沿、脉冲个数、基准电压和平带电压的关系,在总结得出退化现象发生于脉冲的下降沿并取决于脉冲个数的基础上,提出非平衡态PN结退化模型。该退化模型阐述了器件从开态向关态的快速转换过程中,载流子从深能级缺陷发射出来后,受源/漏极附近高电场的作用之下,形成热载流子,并产生更多的缺陷,导致器件的性能退化。该模型能全面、完整地解释多晶硅TFTs在栅和漏极处分别施加脉冲应力或施加栅/漏同步脉冲应力所导致的器件退化现象。（二）一种含有载流子注入端的新型TFT及其退化抑制研究在理解退化发生过程的基础上,为提高TFTs的可靠性及驱动电路寿命,我们制备了一种可抑制动态退化的新型TFT,即通过在沟道一侧形成载流子注入端,载流子注入端的注入类型与源/漏导电类型相反。以新制备的n型器件为例,在脉冲下降沿切换时,载流子注入端注入的空穴可使沟道的载流子浓度跟得上栅极脉冲电压的变化速度,从而大幅抑制沟道源/漏区附近的非平衡态的形成以及热载流子的产生,达到抑制动态热载流子效应导致器件退化的目的。（三）a-IGZO TFTs的动态退化研究首先研究了最典型的栅极脉冲应力下a-IGZO TFTs器件的退化特性,比较了不同上升沿和下降沿对器件退化的影响关系。与多晶硅TFT类似的是,当栅脉冲的下降沿较陡时,器件性能的退化与动态热载流子导致的缺陷产生和电荷注入有关,且脉冲个数是导致退化的主要因素;当脉冲的下降沿较为平缓时,可以将脉冲的应力时间折算成“等效的直流应力时间”来衡量器件的退化行为,此时,栅脉冲的高电平时产生的电荷捕获是退化的主要原因,而动态热载流子效应的影响可忽略。根据实验现象,我们提出了由动态热载流子导致的器件退化模型,即在水平瞬态电场的作用下,沟道内来不及返回源、漏极的电子从水平瞬态电场中吸收能量成为热载流子,部分热载流子会越过界面势垒注入栅绝缘层或被界面捕获,导致的器件性能退化,并进一步借助于Silvaco仿真软件验证了提出退化模型的正确性。与栅脉冲下的动态退化不同的是,对于栅/漏同步脉冲应力和漏脉冲下的a-IGZO TFT器件退化,其本质上一个直流偏压导致的结果,它取决于脉冲的高电平时间长短,而与动态效应无关。特别需要指出的是,由于a-IGZO TFT存在着应力撤去后的恢复现象,导致a-IGZO TFT的最终退化量不仅取决直流等效应力,而且还与脉冲的低电平时间长短相关。此时,器件性能退化可归因于电应力作用下与热激发相关的电荷注入栅绝缘层或被界面捕获而产生的结果。
二、金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究（论文提纲范文）
（1）SiOx/SiNx栅极绝缘层及其LTPS-TFT研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 多晶硅TFT的栅极绝缘层研究现状概述 |
| 1.2.1 材料的选择与国内外研究现状 |
| 1.2.2 SiO_x/SiN_x复合栅极绝缘层 |
| 1.2.3 制备技术 |
| 1.2.4 栅极绝缘层特性 |
| 1.2.5 栅极绝缘层对TFT的性能的影响 |
| 1.2.6 栅极绝缘层影响器件性能的主要性质 |
| 1.3 PECVD制备栅极绝缘层的研究与应用现状 |
| 1.3.1 PECVD法制备原理 |
| 1.3.2 PECVD工艺参数简介 |
| 1.3.3 PECVD法存在的问题 |
| 1.4 研究的目的和意义 |
| 1.5 本论文研究内容 |
| 第二章 实验方法与表征手段 |
| 2.1 实验设备与材料 |
| 2.1.1 设备简介 |
| 2.1.2 试验材料 |
| 2.2 PECVD制备SiO_x和SiN_x单层薄膜样品 |
| 2.3 PECVD制备复合栅极绝缘层样品 |
| 2.4 LTPS-TFT器件制备 |
| 2.4.1 器件结构 |
| 2.4.2 器件制作流程 |
| 2.5 测试与表征 |
| 2.5.1 绝缘层的厚度和折射率分析 |
| 2.5.2 绝缘层均匀性分析 |
| 2.5.3 绝缘层的傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)成分分析 |
| 2.5.4 绝缘层的应力分析 |
| 2.5.5 绝缘性与C-V测试 |
| 2.5.6 TFT器件性能测试 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 PECVD沉积SiO_x绝缘层薄膜性质的调整 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 腔室气压对SiO_x薄膜性质的影响 |
| 3.3 射频功率对SiO_x薄膜性质的影响 |
| 3.4 一氧化二氮流量对SiO_x薄膜性质的影响 |
| 3.5 SiO_x薄膜制备中气压、功率和一氧化二氮流量的正交试验分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 PECVD沉积SiN_x绝缘层薄膜性质的调整 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 腔室气压对SiN_x薄膜性质的影响 |
| 4.3 射频功率对SiN_x薄膜性质的影响 |
| 4.4 氮气流量对SiN_x薄膜性质的影响 |
| 4.5 硅烷流量对SiN_x薄膜性质的影响 |
| 4.6 SiN_x薄膜制备中气压、功率和硅烷流量的正交试验分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 SiO_x/SiN_x复合栅极绝缘层性质及其器件性能的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 复合栅极绝缘层中SiO_x薄膜性质的改变对LTPS-TFT的影响 |
| 5.2.1 应力的变化 |
| 5.2.2 对绝缘层电学性质的影响 |
| 5.2.3 对TFT器件性能的影响 |
| 5.3 复合栅极绝缘层中SiN_x薄膜性质的改变对LTPS-TFT的影响 |
| 5.3.1 应力的变化 |
| 5.3.2 对绝缘层电学性质的影响 |
| 5.3.3 对TFT器件性能的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附录 |
（2）基于阳极氧化制备绝缘层的IGZO-TFT的制备与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 TFT的种类 |
| 1.3 氧化物TFT的介绍 |
| 1.3.1 氧化物TFT的历史进程 |
| 1.3.2 氧化物TFT的特点 |
| 1.4 a-IGZO氧化物TFT的介绍 |
| 1.4.1 a-IGZO半导体材料性质 |
| 1.4.2 a-IGZO TFT历史进程 |
| 1.4.3 a-IGZO TFT应用前景 |
| 1.5 基于阳极氧化法的a-IGZO TFT概述 |
| 1.5.1 阳极氧化法 |
| 1.5.2 基于阳极氧化法制备绝缘层 |
| 1.6 本论文研究的主要内容 |
| 第二章 a-IGZO TFT的相关理论及表征手段 |
| 2.1 a-IGZO TFT的结构 |
| 2.2 a-IGZO TFT的工作原理 |
| 2.3 a-IGZO TFT的基本性能参数 |
| 2.3.1 载流子迁移率 |
| 2.3.2 电流开关比 |
| 2.3.3 阈值电压 |
| 2.3.4 亚阈值摆幅 |
| 2.4 a-IGZO TFT的表征手段 |
| 2.4.1 Keithley4200 参数分析仪 |
| 2.4.2 金相显微镜 |
| 2.4.3 台阶仪 |
| 2.4.4 四探针测试仪 |
| 2.4.5 扫描电子显微镜 |
| 2.4.6 原子力显微镜 |
| 2.4.7 X射线衍射仪 |
| 2.4.8 紫外-可见分光光度计 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于阳极氧化法的绝缘层的a-IGZO TFT单层薄膜制备及其性能研究 |
| 3.1 基于阳极氧化法的绝缘层的a-IGZO TFT的结构设计 |
| 3.2 玻璃衬底的处理 |
| 3.2.1 白玻璃基片切割 |
| 3.2.2 白玻璃基片清洗 |
| 3.3 栅极Al的制备和测试 |
| 3.4 基于阳极氧化的绝缘层Al2O3 的制备和测试 |
| 3.4.1 不同阳极氧化电解液的研究与测试 |
| 3.4.2 不同阳极氧化CC时长的研究与测试 |
| 3.5 有源层a-IGZO薄膜的制备和测试 |
| 3.5.1 a-IGZO薄膜的制备 |
| 3.5.2 不同氧分压下a-IGZO薄膜的测试 |
| 3.5.2.1 不同氧分压下的a-IGZO电学和光学性能的研究 |
| 3.5.2.2 不同氧分压下的a-IGZO薄膜AFM形貌的研究 |
| 3.5.3 不同溅射功率下a-IGZO薄膜的测试 |
| 3.5.3.1 不同溅射功率下的a-IGZO薄膜的电学研究 |
| 3.5.3.2 不同溅射功率下的a-IGZO薄膜的SEM扫描的研究 |
| 3.5.3.3 180W 和 210W 薄膜 XRD 测试分析 |
| 3.6 源漏电极的制备 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 基于阳极氧化绝缘层的a-IGZO TFT的制备及其性能研究 |
| 4.1 PMMA绝缘层的a-IGZO TFT的制备及性能研究 |
| 4.1.1 PMMA绝缘层器件的结构 |
| 4.1.2 PMMA绝缘层器件的绝缘层制备 |
| 4.1.3 PMMA绝缘层器件分析 |
| 4.2 基于阳极氧化绝缘层的a-IGZO TFT的制备及性能研究 |
| 4.2.1 基于阳极氧化绝缘层的a-IGZO TFT的制备流程 |
| 4.2.2 不同阳极氧化电解质液对于a-IGZO TFT的性能研究 |
| 4.2.3 不同阳极氧化CC时长对于a-IGZO TFT的性能研究 |
| 4.3 基于复合绝缘层的a-IGZO TFT的制备及性能研究 |
| 4.3.1 基于复合绝缘层的a-IGZO TFT的制备流程 |
| 4.3.2 基于复合绝缘层的a-IGZO TFT的性能研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的成果 |
（3）四端多晶硅TFT抑制热载流子退化的TCAD仿真分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 TFT概述 |
| 1.2 低温多晶硅TFT的制备 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 多晶硅TFT热载流子退化的研究进展 |
| 1.3.2 含载流子注入端的四端多晶硅TFT |
| 1.4 本文主要工作 |
| 第2章 多晶硅TFT的仿真 |
| 2.1 本文实验器件及测量设备 |
| 2.1.1 LTPS TFT器件的制备 |
| 2.1.2 器件测量设备 |
| 2.2 Silvaco-TCAD仿真软件简介 |
| 2.3 多晶硅TFT的物理模型 |
| 2.3.1 多晶硅TFT的碰撞离化模型 |
| 2.3.2 多晶硅TFT的泄漏电流模型 |
| 2.4 传统器件特性的拟合 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 四端多晶硅TFT抑制DC HC退化的仿真分析 |
| 3.1 载流子注入端的位置和宽度对kink效应的抑制作用 |
| 3.2 漏端横向最大电场 |
| 3.3 寄生BJT效应 |
| 3.3.1 RPI模型与寄生BJT效应 |
| 3.3.2 注入端电流 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 四端多晶硅TFT抑制AC HC退化的仿真分析 |
| 4.1 四端多晶硅TFT的注入电流 |
| 4.2 四端多晶硅TFT的注入端结开启过程 |
| 4.3 四端多晶硅TFT的空穴浓度变化 |
| 4.4 四端多晶硅TFT的漏端电场 |
| 4.4.1 四端多晶硅TFT的漏端瞬时电场 |
| 4.4.2 四端多晶硅TFT的漏端电场峰值 |
| 4.5 器件的动态HC退化 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 泄漏电流不同的两种器件的仿真结果比较 |
| 5.1 两种器件的仿真结果比较 |
| 5.1.1 DC HC仿真结果比较 |
| 5.1.2 AC HC仿真结果比较 |
| 5.2 四端器件的结构优化结果 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 总结及未来展望 |
| 6.1 本文工作总结 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 缩略语对照表 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（4）溶液加工氧化物薄膜晶体管器件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 薄膜晶体管概述 |
| 1.2.1 非晶硅薄膜晶体管 |
| 1.2.2 低温多晶硅薄膜晶体管 |
| 1.2.3 有机薄膜晶体管 |
| 1.2.4 氧化物薄膜晶体管 |
| 1.3 溶液法制备氧化物薄膜晶体管的研究进展 |
| 1.4 目前研究中存在的问题 |
| 1.5 主要研究内容和创新点 |
| 第二章 薄膜晶体管的结构、原理和特性参数及溶液加工技术原理 |
| 2.1 氧化物薄膜晶体管结构 |
| 2.2 氧化物薄膜晶体管的工作机理 |
| 2.2.1 氧化物半导体薄膜载流子输运机制 |
| 2.2.2 器件工作机制 |
| 2.3 氧化物薄膜晶体管的电学特性参数 |
| 2.3.1 场效应迁移率 |
| 2.3.2 阈值电压/开启电压 |
| 2.3.3 电流开关比 |
| 2.3.4 亚阈值摆幅 |
| 2.3.5 迟滞电压 |
| 2.4 溶液加工技术原理 |
| 2.4.1 旋涂技术的基本原理 |
| 2.4.2 喷墨印刷技术的基本原理 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 溶液加工氧化铟基半导体薄膜的紫外图形化及其薄膜晶体管 |
| 3.1 背景介绍 |
| 3.2 图形化氧化铟薄膜晶体管 |
| 3.2.1 前驱体材料选择 |
| 3.2.2 器件的制备 |
| 3.2.3 图形化过程中前驱体薄膜成分的变化 |
| 3.2.4 紫外和水处理对氧化铟薄膜性能的影响 |
| 3.2.5 基于玻璃衬底的氧化铟薄膜晶体管 |
| 3.2.6 基于聚酰亚胺衬底的柔性氧化铟薄膜晶体管 |
| 3.3 图形化低温锂掺杂氧化铟薄膜晶体管 |
| 3.3.1 锂掺杂氧化铟薄膜晶体管的电学特性 |
| 3.3.2 聚合物钝化的锂掺杂氧化铟薄膜晶体管的栅偏压稳定性 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 喷墨印刷短沟道及自对准氧化物薄膜晶体管 |
| 4.1 背景介绍 |
| 4.2 基于咖啡环效应的短沟道薄膜晶体管 |
| 4.2.1 墨水配制 |
| 4.2.2 短沟道器件制备 |
| 4.2.3 咖啡环现象及去润湿模型 |
| 4.2.4 短沟道氧化铟薄膜晶体管 |
| 4.3 喷墨印刷自对准氧化物薄膜晶体管 |
| 4.3.1 溶液配制 |
| 4.3.2 器件制备 |
| 4.3.3 自对准器件的电学特性 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于溶剂印刷技术的全印刷氧化物薄膜晶体管 |
| 5.1 背景介绍 |
| 5.2 全印刷底栅器件 |
| 5.2.1 溶液和墨水配制 |
| 5.2.2 底栅氧化物薄膜晶体管的制备 |
| 5.2.3 疏水图案及印刷氧化物薄膜 |
| 5.2.4 全印刷底栅铟镓氧薄膜晶体管 |
| 5.3 全印刷顶栅器件 |
| 5.3.1 喷墨印刷顶栅器件的优势与挑战 |
| 5.3.2 顶栅氧化物薄膜晶体管的制备 |
| 5.3.3 基于不同介质层的顶栅器件 |
| 5.3.4 基于钪锆氧介质层的顶栅器件 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 基于印刷氧化物薄膜晶体管阵列背板的AMQLED |
| 6.1 背景介绍 |
| 6.2 实验方法 |
| 6.2.1 溶液和墨水制备 |
| 6.2.2 器件制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（5）金属氧化物薄膜晶体管发展及其应用（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 薄膜晶体管的发展历程 |
| 2 薄膜晶体管的研究现状 |
| 2.1 氢化非晶硅薄膜晶体管 |
| 2.2 低温多晶硅薄膜晶体管 |
| 2.3 氧化物薄膜晶体管 |
| 2.4 有机薄膜晶体管 |
| 3 氧化物薄膜晶体管的研究 |
| 3.1 常见氧化物半导体材料 |
| 3.2 氧化物半导体的导电机制 |
| 3.3 薄膜晶体管的器件结构 |
| 3.4 薄膜晶体管的新型结构 |
| 3.4.1 双层沟道薄膜晶体管 |
| 3.4.2 超晶格薄膜晶体管 |
| 3.4.3 顶栅自对准薄膜晶体管 |
| 4 应用前景 |
| 5 结论 |
（6）AMOLED显示屏像素驱动电路的设计与实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 OLED的特点 |
| 1.2 OLED发光原理 |
| 1.3 OLED像素驱动技术 |
| 1.4 TFT技术 |
| 1.5 本文的主要工作 |
| 1.6 本文的结构安排 |
| 第二章 AMOLED像素驱动电路设计 |
| 2.1 AMOLED像素驱动电路参数设计 |
| 2.1.1 参数设计流程 |
| 2.1.2 OLED最大驱动电流计算 |
| 2.1.3 OLED最小驱动电流计算 |
| 2.1.4 驱动管相关参数计算 |
| 2.1.5 开关管相关参数计算 |
| 2.1.6 像素驱动电路参数验证 |
| 2.2 TFT特性评价及仿真 |
| 2.3 像素电路与周边驱动电路 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 AMOLED像素驱动电路实现 |
| 3.1 驱动TFT实现 |
| 3.2 OLED发光单元实现 |
| 3.3 像素驱动电路实现 |
| 3.4 AMOLED显示屏驱动 |
| 3.5 AMOLED像素驱动电路实测结果分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 结论 |
| 4.1 本文的主要贡献 |
| 4.2 下一步工作的展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（7）含载流子注入端的四端多晶硅薄膜晶体管的可靠性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 TFT概述 |
| 1.2 低温多晶硅TFT的制备 |
| 1.3 本文工作基础 |
| 1.3.1 多晶硅TFT可靠性研究进展 |
| 1.3.2 含载流子注入端的四端多晶硅TFT |
| 1.4 本文主要工作 |
| 参考文献 |
| 第2章 多晶硅TFT在栅脉冲与漏端直流应力下的退化 |
| 2.1 多晶硅TFT器件及实验条件 |
| 2.1.1 多晶硅TFT的制备 |
| 2.1.2 实验条件 |
| 2.2 器件在栅脉冲及漏端直流应力下的退化特征 |
| 2.2.1 器件转移特性的退化 |
| 2.2.2 器件退化与上升/下降沿的关系 |
| 2.2.3 器件退化与漏端直流电压的关系 |
| 2.3 非平衡PN结退化模型 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 四端多晶硅TFT与LDD多晶硅TFT的比较研究 |
| 3.1 四端TFT与LDD TFT的制备 |
| 3.2 四端TFT与LDD TFT的系统比较 |
| 3.2.1 器件基本特性 |
| 3.2.2 DC HC退化 |
| 3.2.3 AC HC退化 |
| 3.3 载流子注入端的电流消耗 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 四端多晶硅TFT的优化 |
| 4.1 四端多晶硅TFT的版图设计优化 |
| 4.2 实验器件结构 |
| 4.3 四端TFT动态退化的几何效应 |
| 4.3.1 器件退化与载流子注入端宽度的关系 |
| 4.3.2 器件退化与载流子注入端位置的关系 |
| 4.4 非平衡PN结退化模型的修正 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 总结及未来展望 |
| 5.1 本文工作总结 |
| 5.2 未来展望 |
| 缩略语对照表 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（8）ELA多晶硅TFT以及EMMO a-IGZO TFT在直流栅极偏置应力下的退化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 TFT技术概述 |
| 1.1.1 多晶硅TFT技术介绍 |
| 1.1.2 a-IGZO沟道的EMMOTFT技术介绍 |
| 1.2 本文实验器件与研究方法 |
| 1.2.1 P型ELA多晶硅TFT结构与制备工艺 |
| 1.2.2 a-IGZO沟道的EMMOTFT结构与制备工艺 |
| 1.2.3 实验仪器设备及研究方法 |
| 1.3 本文的主要工作及论文结构安排 |
| 参考文献 |
| 第2章 P型ELA多晶硅TFT特性及其直流退化研究 |
| 2.1 结晶能量密度对器件特性的影响 |
| 2.2 直流栅极负偏置温度不稳定性研究 |
| 2.3 直流栅极正偏置温度不稳定性研究 |
| 2.3.1 器件转移特性退化规律分析 |
| 2.3.2 器件退化与温度的关系 |
| 2.3.3 器件退化与直流栅应力大小的关系 |
| 2.3.4 两阶段退化机制的分析与验证 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 a-IGZO沟道EMMOTFT直流退化研究 |
| 3.1 EMMOTFT器件的I-V特性分析 |
| 3.2 直流栅极正偏置温度不稳定性研究 |
| 3.2.1 器件转移特性退化规律及机制分析 |
| 3.2.2 相同L不同W器件的退化分析 |
| 3.2.3 相同W不同L器件的退化分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 总结及未来工作 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 缩略语对照表 |
| 致谢 |
（9）多晶硅少数载流子寿命的表征研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 AMOLED技术发展现状 |
| 1.3 低温多晶硅薄膜质量的表征方法 |
| 1.4 低温多晶硅薄膜少子寿命的测试原理 |
| 1.5 研究意义及研究内容: |
| 第二章 低温多晶硅薄膜的制备及表征 |
| 2.1 低温多晶硅薄膜的结晶化方法 |
| 2.2 本研究采用的激光晶化设备及工艺参数 |
| 2.3 微波光电导测试设备结构及参数 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 少子寿命测试参数的影响 |
| 3.1 样品制备及测试 |
| 3.2 激光注入能量对少子寿命测试的影响 |
| 3.3 激光注入能量对不同多晶硅质量的样品测试影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 多晶硅薄膜质量与少子寿命的关系 |
| 4.1 晶粒尺寸、粗糙度以及薄膜厚度与少子寿命的关系 |
| 4.1.1 样品制备及测试 |
| 4.1.2 激光晶化能量对多晶硅薄膜质量的影响 |
| 4.1.3 多晶硅薄膜各项参数对少子寿命的影响 |
| 4.2 多晶硅中杂质浓度的影响 |
| 4.2.1 样品制备及测试 |
| 4.2.2 杂质浓度的影响分析 |
| 4.3 少子寿命测试在多晶硅薄膜实际生产中的应用 |
| 4.3.1 样品制备及测试 |
| 4.3.2 产品少子寿命测试验证分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 论文主要内容总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
（10）薄膜晶体管器件在动态应力下的退化研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 薄膜晶体管概述 |
| 1.1 多晶硅晶体管技术及氧化物晶体管技术 |
| 1.1.1 多晶硅晶体管技术 |
| 1.1.2 氧化物晶体管技术 |
| 1.2 TFT器件可靠性的研究基础 |
| 1.2.1 直流偏压导致的器件退化 |
| 1.2.2 交流电应力下的器件退化 |
| 1.3 本文主要研究工作 |
| 第二章 多晶硅TFT在栅脉冲应用下的退化研究 |
| 2.1 TFT器件及可靠性实验 |
| 2.1.1 多晶硅TFT样品制备 |
| 2.1.2 栅脉冲下的器件退化 |
| 2.1.3 器件退化与上升、下降沿的关系 |
| 2.1.4 器件退化与周期、脉冲个数的关系 |
| 2.1.5 TFT器件在交流电应力下的退化条件 |
| 2.2 非平衡态PN结退化模型 |
| 2.3 本章结论 |
| 第三章 一种新型TFT及其退化抑制研究 |
| 3.1 AMOLED的电路补偿技术 |
| 3.2 一种具有载流子注入结构的新型TFT |
| 3.2.1 载流子注入结构对新型TFT特性的影响 |
| 3.2.2 新型TFT的退化抑制效果 |
| 3.2.3 退化抑制的关键因素 |
| 3.3 本章结论 |
| 第四章 铟镓锌氧化物TFT在栅脉冲下的退化研究 |
| 4.1 铟镓锌氧化物TFT器件的制备 |
| 4.2 栅脉冲应力下铟镓锌氧化物TFT的退化实验 |
| 4.3 栅脉冲应力下的器件退化模型 |
| 4.4 动态热载流子和负偏栅应力的混合效应 |
| 4.5 铟镓锌氧化物TFT在栅脉冲应力下的退化仿真 |
| 4.5.1 TFT的参数拟合及特性仿真 |
| 4.5.2 沟道水平瞬态电场的提取 |
| 4.5.3 注入电荷和界面缺陷的定量讨论 |
| 4.6 本章总结 |
| 第五章 铟镓锌氧TFT在栅/漏应力共同作用下的退化研究 |
| 5.1 铟镓锌氧TFT在栅/漏共同作用下的退化现象 |
| 5.1.1 直流栅/漏偏压下铟镓锌氧TFT的退化 |
| 5.1.2 栅/漏同步脉冲条件下铟镓锌氧TFT的退化 |
| 5.1.3 漏脉冲条件下铟镓锌氧TFT的退化 |
| 5.2 栅/漏偏压共同作用下的退化模型 |
| 5.3 本章总结 |
| 第六章 总结及展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及其他研究成果 |
| 致谢 |
四、金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究（论文参考文献）
- [1]SiOx/SiNx栅极绝缘层及其LTPS-TFT研究[D]. 李松举. 华南理工大学, 2020(03)
- [2]基于阳极氧化制备绝缘层的IGZO-TFT的制备与研究[D]. 周康健. 电子科技大学, 2020(07)
- [3]四端多晶硅TFT抑制热载流子退化的TCAD仿真分析[D]. 高婷. 苏州大学, 2019(07)
- [4]溶液加工氧化物薄膜晶体管器件研究[D]. 李育智. 华南理工大学, 2019
- [5]金属氧化物薄膜晶体管发展及其应用[J]. 韩德栋,董俊辰,李慧津,郁文,王漪,张兴. 微纳电子与智能制造, 2019(01)
- [6]AMOLED显示屏像素驱动电路的设计与实现[D]. 闫晓剑. 电子科技大学, 2018(01)
- [7]含载流子注入端的四端多晶硅薄膜晶体管的可靠性研究[D]. 武燕文. 苏州大学, 2018(12)
- [8]ELA多晶硅TFT以及EMMO a-IGZO TFT在直流栅极偏置应力下的退化研究[D]. 齐栋宇. 苏州大学, 2018(12)
- [9]多晶硅少数载流子寿命的表征研究[D]. 魏博. 上海交通大学, 2016(12)
- [10]薄膜晶体管器件在动态应力下的退化研究[D]. 王槐生. 苏州大学, 2016(08)